[發明專利]一種NAND閃存芯片及其棋盤格檢查的芯片編程方法有效
| 申請號： | 201210099928.0 | 申請日： | 2012-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN103366825A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 蘇志強;丁沖 | 申請（專利權）人： | 北京兆易創新科技股份有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/10 | 分類號： | G11C29/10 |
| 代理公司： | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鵬 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 nand 閃存 芯片 及其 棋盤 檢查 編程 方法 | ||
1.一種NAND閃存芯片的棋盤格檢查的芯片編程方法，包括：
將需要進行編程的序列傳送到緩存中；所述序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均為表示高、低電平的數值交替出現的序列，其中第一序列中的第一個數值為表示低電平的數值，第二序列中的第一個數值為表示高電平的數值；
序列均傳送進緩存后，用一個編程指令將所述緩存中的第一序列、第二序列中的一個序列傳送到閃存主陣列中所有單數的頁中，用另一個編程指令將所述第一序列、第二序列中的另一個序列傳送到主陣列中所有雙數的頁中。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
將序列傳送到頁中所用的兩個編程指令的順序不限。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
表示低電平的數值為“0”，表示高電平的數值為“1”。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：
所述單數的頁是主陣列的各塊中的第一、三、五、......頁這些奇數頁，所述雙數的頁是主陣列的各塊中的第二、四、六......頁這些偶數頁。
5.一種NAND閃存芯片，包括：主陣列、緩存；
其特征在于，還包括：
傳輸模塊，用于將需要進行編程的序列傳送到緩存中；所述序列包括第一、第二序列；所述第一、第二序列均為表示高、低電平的數值交替出現的序列，其中第一序列中的第一個數值為表示低電平的數值，第二序列中的第一個數值為表示高電平的數值；
控制模塊，用于當序列均傳送進緩存后，用一個編程指令將所述緩存中的第一序列、第二序列中的一個序列傳送到所述主陣列中所有單數的頁中，用另一個編程指令將所述第一序列、第二序列中的另一個序列傳送到主陣列中所有雙數的頁中。
6.如權利要求5所述的芯片，其特征在于：
所述控制模塊將序列傳送到頁中所用的兩個編程指令的順序不限。
7.如權利要求5所述的芯片，其特征在于：
表示低電平的數值為“0”，表示高電平的數值為“1”。
8.如權利要求5所述的芯片，其特征在于：
所述單數的頁是主陣列的各塊中的第一、三、五、......頁這些奇數頁，所述雙數的頁是主陣列的各塊中的第二、四、六......頁這些偶數頁。
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