[發明專利]半導體元件有效
| 申請號： | 201210099699.2 | 申請日： | 2012-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN103367318A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文 | 申請（專利權）人： | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/538 | 分類號： | H01L23/538 |
| 代理公司： | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀純 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體元件，其特征在于，包含有：
基底；
氧化物層，設在所述基底上；
至少一硅貫通電極，設在所述的基底以及所述氧化物層中，并且貫穿所述基底以及所述氧化物層；
多個深溝槽，至少設于所述硅貫通電極周圍的基底中；以及
多個填充材料，設于所述的各深溝槽中。
2.根據權利要求1所述的具有硅貫通電極的半導體元件，其特征在于所述的硅貫通電極中包含有導電層。
3.根據權利要求2所述的具有硅貫通電極的半導體元件，其特征在于所述導電層材料可選自銅、鎢、金、銀及鋁所組成的群組。
4.根據權利要求1所述的具有硅貫通電極的半導體元件，其特征在于所述的填充材料包含有氣體。
5.根據權利要求1所述的具有硅貫通電極的半導體元件，其特征在于所述的填充材料包含有彈性材料。
6.根據權利要求1所述的具有硅貫通電極的半導體元件，其特征在于所述氧化物層包含氧化硅。
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