[發明專利]側裝控制器及其制造方法

有效

• 申請號: 201210098175.1
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102683331A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: N·瑟弗
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張陽

背景技術

NAND閃存以及其它類型的非易失性存儲器(“NVM”)通常用于大容量存儲。例如，諸如便攜式媒體播放器的消費電子設備通常包括閃存以存儲音樂、視頻、以及其它媒體。

閃存以硅管芯的形式存在，且在一些實現中，可以使用多于一個的管芯。多管芯實現具有更大存儲容量，但是也需要額外的有效面積(real?estate)和關聯的支持電子電路，例如總線、控制電路、和功率電路。此外，控制電路可被置于多管芯堆疊頂上或管芯附近的印刷電路板上，這兩者都會增加系統的總空間需求。

發明內容

公開了具有垂直堆疊管芯和側裝電路的管芯封裝及其制造方法。與安裝到堆疊的上表面相反，所述側裝電路被安裝至該堆疊的側面區域，例如該堆疊的垂直表面，以減小NVM封裝的高度。

附圖說明

如下通過結合其中相似參考標記始終表示相似部分的附圖的詳細說明，本發明的上述和其它特點與優點將變得更加顯見，在附圖中：

圖1示出了根據本發明各個實施例的非易失性存儲器封裝的說明性透視圖；

圖2A-D示出了根據本發明各個實施例的各種非易失性存儲器封裝的說明性截面圖；

圖3A-F示出了根據本發明各個實施例的堆疊管芯封裝的說明性視圖；

圖4示出了根據本發明各個實施例的NVM封裝的說明性側視圖；

圖5A和5B示出了根據本發明各個實施例的NVM封裝的說明性側視圖；

圖6A-B示出了根據本發明各個實施例的管芯封裝的說明性視圖；

圖7A和7B示出了根據本發明各個實施例的NVM封裝的說明性側視圖和頂視圖；

圖8示出了根據本發明各個實施例的用于制造具有側裝控制電路的NVM封裝的說明性工藝的流程圖；以及

圖9示出了根據本發明各個實施例的使用非易失性存儲器封裝的系統的簡化框圖。

具體實施方式

提供了具有垂直堆疊管芯和側裝控制電路的管芯封裝及其制造方法。管芯的堆疊會產生與堆疊的上下表面垂直和/或非垂直的垂直表面(或壁)。這些垂直表面用作可以在其上安裝各種側裝電路的有效面積。如在此定義的，垂直表面可以是垂直堆疊的任何側面，且垂直表面可以垂直于上下表面，或它相對于上下表面可以是不垂直的。根據本發明的實施例，側裝電路能被安裝到一個或多個垂直表面的一部分上。側裝電路能夠減小NVM封裝的高度和占地面積。這種減小能夠有利地滿足要求減小電子器件體積的設計準則，同時提供相同或增加的存儲容量。

現在參考圖1，示出了根據實施例構造的NVM封裝100的說明性透視圖。NVM封裝100可以包括NVM管芯102的垂直堆疊和側裝電路104。側裝電路104可以安裝在垂直表面106a-d中的一個表面的一部分上。如圖1所示，例如，電路104被安裝在垂直表面106a上。在其它實施例中，電路可以安裝在垂直表面106a-d中的兩個或更多個表面上。

NVM管芯102中的各管芯在形狀上可以基本為矩形(例如，矩形或方形)，因而可以具有長度、寬度、上表面、下表面、側表面、和邊緣。雖然僅僅在圖1中示出了4個管芯，但是本領域技術人員將會理解可以堆疊任何合適數量的NVM管芯102以形成垂直堆疊(例如，8個或16個NVM管芯)。垂直表面106a-d由每個管芯102側表面的集合形成。因而，隨著堆疊中的管芯102數量的增加，垂直表面106a-d的面積相應增加。垂直表面106a-d不同于NVM封裝100的上表面107和下表面108。

管芯102可以包括基于浮柵或電荷俘獲技術的NAND閃存(例如，各管芯102可以是NAND閃速芯片)、NOR閃存、EPROM、EEPROM、鐵電RAM(“FRAM”)、或磁阻RAM(“MRAM”)。管芯102可以是“生(raw)”NAND且同樣地包含用于存儲數據的單級單元(“SLC”)和/或多級單元(“MLC”)、地址線(例如，字線)、用于訪問SLC或MLC的尋址電路、以及諸如電荷泵的其它特定于管芯的電路。

應當明了雖然在此涉及的管芯102為NAND閃存管芯，但是管芯102可以是任何其它合適的硅基產品。例如，管芯102可以是易失性存儲器管芯，例如DRAM或SRAM。作為另一實施例，可以堆疊具有不同功能的管芯。例如，堆疊可以包括片上系統(“SOC”)管芯、DRAM管芯、和NAND管芯，并且側裝電路可以安裝在該堆疊的側面。