[發(fā)明專利]側(cè)裝控制器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210098175.1
• 申請日: 2012-02-17
• 公開（公告）號: CN102683331A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設計）人: N·瑟弗
• 申請（專利權(quán)）人: 蘋果公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張陽

1.一種封裝，包括：

以垂直堆疊排列的多個管芯，所述堆疊具有上表面、下表面、以及至少一個垂直表面；

安裝到所述至少一個垂直表面中的一個垂直表面上的側(cè)裝控制電路；以及

將控制電路電耦合到所述多個管芯中的至少一個管芯的互連電路。

2.如權(quán)利要求1所述的封裝，進一步包括布置在所述側(cè)裝控制電路和其上要安裝所述控制電路的所述垂直表面之間的粘合劑層。

3.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述多個管芯具有矩形形狀，并且每個管芯具有4個側(cè)面，所述側(cè)面的堆疊集合形成所述至少一個垂直表面。

4.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述多個管芯以錯列配置堆疊，并且在所述側(cè)裝控制電路和所述管芯之間存在有粘合劑。

5.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中堆疊的所述多個管芯包括管芯焊盤和/或通孔，并且其中所述互連電路電耦合到所述管芯焊盤和/或通孔。

6.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述多個管芯中的至少一個管芯包括從該至少一個管芯的側(cè)面突出的導體，并且其中所述互連電路電耦合至所述導體。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝，其中所述導體電耦合到與所述多個管芯中的一個管芯相關聯(lián)的焊盤。

8.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述互連電路包括穿通硅的通孔。

9.一種用于制造堆疊式管芯封裝的方法，所述方法包括：

提供以垂直堆疊排列的多個管芯，所述管芯的垂直堆疊具有多個垂直表面；

將側(cè)裝電路安裝到所述多個垂直表面中的至少一個垂直表面上；以及

用互連電路將所述側(cè)裝電路電耦合到所述多個管芯中的至少一個管芯。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，進一步包括在所述多個管芯的各管芯之間放置介電材料以將所述多個管芯彼此電隔離。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述互連電路包括導電環(huán)氧樹脂或引線接合。

12.一種系統(tǒng)，包括：

處理器；

與所述處理器操作通信的非易失性存儲器(“NVM”)封裝，所述NVM封裝包括：

以垂直堆疊排列的多個NVM管芯，所述堆疊具有上表面、下表面、

以及多個垂直表面；

安裝在所述多個垂直表面中的一個垂直表面上的側(cè)裝電路；以及

互連電路，所述互連電路將所述側(cè)裝電路電耦合到所述多個NVM管芯中的至少一個NVM管芯，其中所述側(cè)裝電路操作用以針對存入所述NVM封裝中和/或從所述NVM封裝讀取的數(shù)據(jù)執(zhí)行至少一種NVM管理操作。

13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種NVM管理操作包括錯誤代碼校正。

14.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述至少一種NVM管理操作包括將從所述處理器接收的指令轉(zhuǎn)換成能由所述NVM封裝處理的指令。

15.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述側(cè)裝電路操作用以訪問所述多個管芯的存儲單元。

16.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述側(cè)裝電路是安裝在第一垂直表面上的第一側(cè)裝電路，所述NVM封裝進一步包括：

安裝在第二垂直表面上的第二側(cè)裝電路。

17.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述第一側(cè)裝電路操作用以訪問所述多個管芯的存儲單元，并且其中所述第二側(cè)裝電路操作用以對在所述處理器和所述NVM封裝之間傳輸?shù)臄?shù)據(jù)施加錯誤代碼校正。

18.一種用于制造堆疊式管芯封裝的設備，所述設備包括：

以垂直堆疊排列多個管芯的裝置，所述管芯的垂直堆疊具有多個垂直表面；

將側(cè)裝電路安裝到所述多個垂直表面中的至少一個垂直表面上的裝置；以及

用互連電路將側(cè)裝電路電耦合到所述多個管芯中的至少一個管芯的裝置。

19.如權(quán)利要求18所述的設備，進一步包括在所述側(cè)裝電路和其上要安裝該側(cè)裝電路的所述垂直表面之間放置粘合劑層的裝置。

20.如權(quán)利要求18所述的設備，其中所述多個管芯的各管芯是NAND閃存管芯。