[發明專利]一種氮化硅坩堝的制備方法有效
| 申請號： | 201210097771.8 | 申請日： | 2012-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN103360083A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 鄭志東;王先進;尹慧 | 申請（專利權）人： | 浙江昱輝陽光能源有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/66 | 分類號： | C04B35/66;F27B14/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯長明 |
| 地址： | 314117 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 坩堝 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氮化硅坩堝的制備方法，包括以下步驟：
a)將由氮化硅粉和助燒劑組成的混合粉體進行造粒、成型，得到坩堝生胚，所述助燒劑為二氧化硅；
b)將所述坩堝生胚進行氣壓燒結，得到氮化硅坩堝。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述助燒劑為納米二氧化硅。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述助燒劑占所述混合粉體的質量分數≤10％。
4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述助燒劑占所述混合粉體的質量分數為1％～9％。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，所述氣壓燒結的溫度為1700℃～2000℃。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟b)中，所述氣壓燒結的壓力≤9MPa。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述氮化硅粉由質量分數為90％～95％的亞微米氮化硅粉和質量分數為5％～10％的納米氮化硅粉組成。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟a)中，所述造粒具體包括：
將所述混合粉體與無水乙醇混合，制成漿料，所述漿料的固含量為30％～50％；
將所述漿料進行噴霧干燥造粒，經出料得到粉粒體。
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