[發明專利]有機電致發光顯示裝置的制造方法無效
| 申請號: | 201210097660.7 | 申請日: | 2012-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN102738077A | 公開(公告)日: | 2012-10-17 |
| 發明(設計)人: | 廣木知之;遠藤太郎;高谷格;石毛剛一;佐藤信彥 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L51/56 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李帆 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 顯示裝置 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光(EL)顯示裝置的制造方法和用于進行該制造方法的制造裝置。
背景技術
通常已知的其上安裝了有機EL元件的顯示裝置是將均具有單個或多個有機EL元件的像素以預定的圖案排列的裝置。通過這些像素,將顯示裝置的發光區域兩維并且精細地分割。像素中包括的有機EL元件是輸出例如紅光、綠光和藍光的任一種的電子元件。其上安裝了有機EL元件的顯示裝置通過以所需的發射強度驅動用于輸出所需顏色的有機EL元件而得到全色圖像。
順便提及,作為顯示裝置的部件的有機EL元件中,作為元件的部件的有機化合物層是通過采用氣相沉積等形成由有機材料制成的薄膜而形成的薄膜層。對每個元件形成作為顯示裝置的有機EL元件的部件的有機化合物層時,精細圖案化(fine?patterning)技術是必須的。為了在氣相沉積有機化合物層時進行圖案化,其精細度(fineness)對應圖案化的精細度的精細金屬掩模是必須的。但是,金屬掩模中,進行氣相沉積操作時附著的氣相沉積膜可能使掩模中的開口變窄或者應力可能使掩模中的開口變形。因此,必須在進行固定次數的成膜后清潔使用的掩模,從制造成本的觀點出發,這是不利的因素。此外,部分由于對掩模的加工精度的制約,像素尺寸具有約100μm的極限,這對于更精細尺寸是不利的。此外,關于基板尺寸,使精細金屬掩模的尺寸增加時,為了確保掩模中的開口的位置精度,必須提高掩模框的剛性。但是,提高掩模的剛性時,相應地引起掩模自身重量的增加。因此,從加工性和處理性兩者的觀點出發,難以制造第四代及其后的大版式顯示裝置,并且精細有機EL元件和其上安裝了該有機EL元件的顯示裝置的最佳制造方法目前尚未具體化。
在這些情況下,提出了不使用金屬掩模來制造具有精細有機EL元件的顯示裝置的方法。日本專利No.3813069中提出的方法是這樣的方法的具體實例。其中,日本專利No.3813069中提出的方法是如下方法,其中對于各色重復三次以下步驟后形成共電極(common?electrode):通過使用光刻法(photolithography)進行圖案化而在預定的位置選擇性地使基板的整個表面上形成的有機化合物層殘留。日本專利No.4507759中提出了使用光刻法的另一種方法。日本專利No.4507759公開了如下方法,其中通過在有機化合物層上設置水溶性中間層并且進行光刻法,從而將有機化合物層圖案化。
順便提及,日本專利No.3813069中公開的方法中,使用溶劑例如丙酮將多色的圖案化的有機化合物層上設置的抗蝕劑(resist)除去。通過將其上形成有有機化合物層的基板加熱到約100℃以進行烘焙處理來將用于除去抗蝕劑的溶劑揮發。但是,日本專利No.3813069沒有公開將溶劑揮發的任何氣氛,并且在直至形成共電極的過程中空氣中的水分或異物可能附著在有機化合物層上。可能附著在有機化合物層上的異物是元件的發光效率或耐久性特性劣化的原因。
另一方面,日本專利No.4507759公開了如下方法,其中圖案化后,將由水溶性材料形成的保護層除去。但是,日本專利No.4507759沒有公開任何具體的除去水分的步驟,除去水分的步驟是除去保護層后的必要步驟。如果在水分殘留在有機化合物層上的狀態下形成共電極,產生如下問題:有機化合物層上殘留的水分對發光效率或耐久性特性產生不利的影響。
發明內容
本發明為了解決上述問題而完成,并且本發明的目的在于提供用于得到高效率、長壽命和高清晰度(definition)有機EL顯示裝置的制造方法。
本發明提供包括發光區域的有機電致發光顯示裝置的制造方法,該發光區域包括其中配置的多個有機化合物層,該有機化合物層的每一個設置在一對電極之間并且至少包括發光層,該方法包括:在整個發光區域中形成在水中不溶的有機化合物層;以預定的圖案在該有機化合物層上形成含有水溶性材料的掩模層;將沒有被該掩模層覆蓋的區域中形成的有機化合物層的一部分除去;將該掩模層除去;干燥該有機化合物層;和在該有機化合物層上形成跨越(over)該多個有機化合物層的共同層(common?layer),其中干燥該有機化合物層和形成共同層在真空中進行。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





