[發明專利]半導體封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 201210094779.9
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623426A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 王之奇;喻瓊;俞國慶;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

技術領域

本發明屬于半導體制造領域技術，尤其涉及一種半導體封裝結構及其封裝方法。

背景技術

隨著半導體技術的不斷發展，單個芯片的功能越來越強大，但對芯片的尺寸要求越來越小，單位面積的I/O數量也相應得越來越多，轉接板的出現解決了這一問題。

現有技術中，通常是通過硅通孔技術在轉接板上形成通孔，并在轉接板的正面重布線電路，背面重布線電路，并制作與PCB板焊墊尺寸相匹配的凸點，以解決與PCB不兼容問題。

但是，現有的這種轉接板封裝技術中，由于轉接板的通孔工藝難度，導致轉接板不能過厚，為了保證其性能，通常采用臨時壓合（Temporary?bonding）工藝將轉接板和一臨時基板壓合在一起，再進行接下來的制程，等封裝完成后再將轉接板上的臨時基板進行剝離，工藝較復雜且成本較高。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體封裝方法，其通過在轉接板上設置可容納芯片的收容空間，降低了轉接板封裝的工藝難度。

本發明的目的還在于提供一種半導體封裝結構。

為解決上述一發明目的，本發明提供一種半導體封裝方法，該方法包括以下步驟：

提供一轉接板，自所述轉接板上表面形成凹陷的收容空間；

提供一芯片，其上設有多個焊墊，將所述芯片設置于所述收容空間內；

在所述轉接板上形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的通孔；

在所述通孔內及所述轉接板下表面設置導電介質，將所述焊墊與所述導電介質電性連接，并在所述轉接板下表面形成與所述導電介質電性連接的多個節距大于所述多個焊墊節距的金屬凸點。

作為本發明的進一步改進，“將芯片設置于所述收容空間內”具體包括：

在所述芯片設有焊墊的一面設置粘著層，并將所述芯片通過所述粘著層粘合在所述收容空間的底壁上。

作為本發明的進一步改進，“在所述通孔內設置導電介質”前還包括：

在所述通孔內壁及所述轉接板下表面上形成絕緣層；

貫穿所述粘著層，暴露所述焊墊。

作為本發明的進一步改進，“并在所述轉接板下表面形成與所述導電介質電性連接的多個排布密度小于所述多個焊墊排布密度的金屬凸點”具體包括：

在所述導電介質上形成一防焊層；

在所述轉接板下表面的防焊層上形成部分暴露所述導電介質的開口；

在所述開口上形成與所述導電介質電性連接的多個排布密度小于所述多個焊墊排布密度的金屬凸點。

作為本發明的進一步改進，所述“在所述轉接板上形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的通孔”步驟具體包括：

在所述轉接板上下表面形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的匹配所述多個焊墊位置的多個通孔。

為實現上述另一發明目的，本發明提供一種半導體封裝結構，所述封裝結構包括：

芯片，其上設有多個焊墊；

轉接板，所述轉接板上表面凹陷有收容空間，所述芯片收容于所述收容空間內；

通孔，其貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通；

導電介質，設置于所述通孔內及所述轉接板下表面，所述焊墊與所述導電介質電性連接；

其中，在所述轉接板下表面的導電介質電性連接有多個金屬凸點，所述多個金屬凸點的節距大于所述多個焊墊的節距。

作為本發明的進一步改進，所述芯片設有多個焊墊的一面設有一粘著層，所述芯片通過所述粘著層與所述轉接板粘合。

作為本發明的進一步改進，所述封裝結構還包括絕緣層，所述絕緣層設置于所述通孔的內壁及所述轉接板下表面上。

作為本發明的進一步改進，所述導電介質設置于所述絕緣層上。

作為本發明的進一步改進，所述封裝結構還包括設置于所述導電介質上的防焊層，所述防焊層開設有部分暴露所述導電介質的開口，所述金屬凸點通過所述開口與所述導電介質電性連接。

作為本發明的進一步改進，所述封裝結構包括位置匹配所述多個焊墊的多個通孔。

與現有技術相比，本發明通過在轉接板上設置可容納芯片的收容空間，降低了轉接板封裝的工藝難度，進而降低了生產成本。

附圖說明

圖1是本發明一實施方式封裝結構的轉接板的結構示意圖；

圖2是本發明一實施方式封裝結構的形成有收容空間的轉接板的結構示意圖；

圖3是本發明一實施方式封裝結構的芯片收容于轉接板上的收容空間內的結構示意圖；