[發明專利]半導體封裝結構及其封裝方法

有效

• 申請號: 201210094779.9
• 申請日: 2012-03-31
• 公開（公告）號: CN102623426A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 王之奇;喻瓊;俞國慶;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種半導體封裝方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

提供一轉接板，自所述轉接板上表面形成凹陷的收容空間；

提供一芯片，其上設有多個焊墊，將所述芯片設置于所述收容空間內；

在所述轉接板上形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的通孔；

在所述通孔內及所述轉接板下表面設置導電介質，將所述焊墊與所述導電介質電性連接，并在所述轉接板下表面形成與所述導電介質電性連接的多個節距大于所述多個焊墊節距的金屬凸點。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，“將芯片設置于所述收容空間內”具體包括：

在所述芯片設有焊墊的一面設置粘著層，并將所述芯片通過所述粘著層粘合在所述收容空間的底壁上。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，“在所述通孔內設置導電介質”前還包括：

在所述通孔內壁及所述轉接板下表面上形成絕緣層；

貫穿所述粘著層，暴露所述焊墊。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，“并在所述轉接板下表面形成與所述導電介質電性連接的多個排布密度小于所述多個焊墊排布密度的金屬凸點”具體包括：

在所述導電介質上形成一防焊層；

在所述轉接板下表面的防焊層上形成部分暴露所述導電介質的開口；

在所述開口上形成與所述導電介質電性連接的多個排布密度小于所述多個焊墊排布密度的金屬凸點。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的方法，其特征在于，所述“在所述轉接板上形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的通孔”步驟具體包括：

在所述轉接板上下表面形成貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通的匹配所述多個焊墊位置的多個通孔。

6.一種半導體封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括：

芯片，其上設有多個焊墊；

轉接板，所述轉接板上表面凹陷有收容空間，所述芯片收容于所述收容空間內；

通孔，其貫穿所述轉接板并與所述收容空間連通；

導電介質，設置于所述通孔內及所述轉接板下表面，所述焊墊與所述導電介質電性連接；

其中，在所述轉接板下表面的導電介質電性連接有多個金屬凸點，所述多個金屬凸點的節距大于所述多個焊墊的節距。

7.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述芯片設有多個焊墊的一面設有一粘著層，所述芯片通過所述粘著層與所述轉接板粘合。

8.根據權利要求6所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括絕緣層，所述絕緣層設置于所述通孔的內壁及所述轉接板下表面上。

9.根據權利要求8所述的封裝結構，其特征在于，所述導電介質設置于所述絕緣層上。

10.根據權利要求9所述的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構還包括設置于所述導電介質上的防焊層，所述防焊層開設有部分暴露所述導電介質的開口，所述金屬凸點通過所述開口與所述導電介質電性連接。

11.根據權利要求6至9中任意一項的封裝結構，其特征在于，所述封裝結構包括位置匹配所述多個焊墊的多個通孔。