[發(fā)明專利]電性失效分析的測(cè)試方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210093391.7
• 申請(qǐng)日: 2012-03-31
• 公開（公告）號(hào): CN103364713A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周第廷;陸磊;張宇飛;謝振;陳宏領(lǐng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/302
• 分類號(hào): G01R31/302
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體器件電性失效分析的測(cè)試方法及裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的測(cè)試中，首先要做芯片測(cè)試，該測(cè)試結(jié)果是生產(chǎn)線上的良率。其次，就要對(duì)良率低的芯片做電性失效分析(Electrical?failure?analysis，EFA)，以找到導(dǎo)致良率低的原因。因此，在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過程中，對(duì)芯片進(jìn)行電性失效分析是提高生產(chǎn)線上良率的一種重要的分析方法。該方法能精確定位故障點(diǎn)的實(shí)際物理地址，以便于工程師借助更先進(jìn)的工具，比如掃描電子顯微鏡(Scanning?electron?microscope，SEM)、聚焦離子束(Focused?ion?beam，F(xiàn)IB)和透射電鏡(Transmission?electron?microscope，TEM)，進(jìn)行更深入的物理分析，以找到導(dǎo)致故障的根源。

如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中，進(jìn)行電性失效分析包括如下步驟：

步驟S101，需要測(cè)試工程師根據(jù)測(cè)試需求編寫一個(gè)測(cè)試程序，測(cè)試程序往往包含多個(gè)測(cè)試項(xiàng)，不同的測(cè)試項(xiàng)對(duì)應(yīng)不同的測(cè)試需求；

步驟S102，測(cè)試機(jī)加載和編譯該測(cè)試程序，按照測(cè)試程序編寫的順序，各測(cè)試項(xiàng)被組成了一個(gè)固定的測(cè)試流；

步驟S103，依次執(zhí)行各測(cè)試項(xiàng)，輸出測(cè)試結(jié)果；

步驟S104，通常根據(jù)測(cè)試需求，需要多次修改測(cè)試流或測(cè)試參數(shù)以獲得足夠多的測(cè)試結(jié)果來做分析，在此進(jìn)行判定，是否需要做上述修改；

步驟S105，由于各測(cè)試項(xiàng)的功能實(shí)現(xiàn)及參數(shù)值的給定都在測(cè)試程序編寫時(shí)完成，所以要修改測(cè)試流或測(cè)試參數(shù)，就不得不對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行修改；

步驟S106，無需再修改測(cè)試流或測(cè)試參數(shù)的情況下，產(chǎn)生測(cè)試報(bào)告。

在實(shí)際操作中，電性失效分析的測(cè)試程序由測(cè)試工程師親自編寫。但有一些公司或基于保密考慮，具體的電性失效分析工作可能并非由測(cè)試工程師來完成，而是由產(chǎn)品工程師甚至客戶來完成。也就是說，實(shí)際測(cè)試者對(duì)測(cè)試程序是怎樣編寫并被執(zhí)行的所知甚少。這種情況下，如果測(cè)試過程中因需要修改測(cè)試流或測(cè)試參數(shù)而不得不對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行修改的話，他們自己是很難勝任的。他們只好求助測(cè)試工程師(即測(cè)試程序的編寫者)修改測(cè)試程序。即便個(gè)別實(shí)際測(cè)試者有能力在某個(gè)測(cè)試平臺(tái)下修改測(cè)試程序，要精通在各種不同的測(cè)試平臺(tái)下修改測(cè)試程序仍是非常困難的，因?yàn)椴煌臏y(cè)試平臺(tái)有不同的編程方法。而通常，這樣的修改在電性故障分析中是非常頻繁的，也就意味著實(shí)際測(cè)試者無法獨(dú)立完成測(cè)試工作，即便是修改一個(gè)參數(shù)，他也不得不求助于測(cè)試工程師修改測(cè)試程序，才能達(dá)到修改測(cè)試流或測(cè)試參數(shù)的目的。

另外，測(cè)試程序經(jīng)過加載和編譯，各測(cè)試項(xiàng)被組成了一個(gè)固定的測(cè)試流。若在測(cè)試過程中，需要對(duì)各測(cè)試項(xiàng)的運(yùn)行順序做修改，則需要對(duì)測(cè)試程序進(jìn)行較大的改動(dòng)才能實(shí)現(xiàn)。而且修改過的測(cè)試程序再次運(yùn)行時(shí)，又要被重新加載和編譯成二進(jìn)制編碼，以形成新的固定的測(cè)試流，測(cè)試效率低下。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種可以無需了解測(cè)試程序即可修改測(cè)試參數(shù)并且可以靈活改變測(cè)試流，無需反復(fù)加載和編譯的電性失效分析測(cè)試方法和裝置。

為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種電性失效分析的測(cè)試方法，包括以下步驟；

提供電性失效分析中各測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試項(xiàng)函數(shù)；

根據(jù)電性失效分析的測(cè)試需求，確定電性失效分析的測(cè)試項(xiàng)，基于所述測(cè)試項(xiàng)形成測(cè)試項(xiàng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)，所述測(cè)試項(xiàng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)與所述測(cè)試項(xiàng)對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)函數(shù)關(guān)聯(lián)；

提供對(duì)應(yīng)所述測(cè)試需求的測(cè)試文件，所述測(cè)試文件包括關(guān)聯(lián)于測(cè)試項(xiàng)的測(cè)試項(xiàng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)及對(duì)應(yīng)所述測(cè)試項(xiàng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)的測(cè)試參數(shù)；

運(yùn)行所述測(cè)試文件，獲取測(cè)試結(jié)果；

根據(jù)測(cè)試結(jié)果和測(cè)試需求，在需修改測(cè)試文件時(shí)，調(diào)整所述測(cè)試參數(shù)。

可選的，所述的測(cè)試文件還包括對(duì)應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)的運(yùn)行順序；在需修改測(cè)試文件時(shí)，還包括調(diào)整所述測(cè)試項(xiàng)的運(yùn)行順序。

可選的，所述的測(cè)試項(xiàng)函數(shù)以節(jié)點(diǎn)形式鏈接存儲(chǔ)于一個(gè)函數(shù)鏈接表中，每個(gè)節(jié)點(diǎn)包含了測(cè)試項(xiàng)函數(shù)的名稱和地址；運(yùn)行測(cè)試文件時(shí)，測(cè)試項(xiàng)關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)通過函數(shù)鏈接表中的測(cè)試項(xiàng)函數(shù)名稱找到測(cè)試項(xiàng)函數(shù)地址，并調(diào)用相應(yīng)的測(cè)試項(xiàng)函數(shù)。

可選的，所述的測(cè)試參數(shù)以節(jié)點(diǎn)形式鏈接存儲(chǔ)在一個(gè)變量鏈接表中，每個(gè)節(jié)點(diǎn)包含了測(cè)試變量的變量名和變量值；所述的測(cè)試文件提供一個(gè)函數(shù)，通過變量鏈接表中測(cè)試變量的名稱，獲取相對(duì)應(yīng)的參數(shù)值。