[發明專利]一種AlN晶體的制備方法有效
| 申請號： | 201210093222.3 | 申請日： | 2012-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN102618930A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發明（設計）人： | 韓杰才;宋波;趙超亮;張幸紅;張化宇;張宇民 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109 | 代理人： | 韓末洙 |
| 地址： | 150001 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 aln 晶體 制備 方法 | ||
1.一種AlN晶體的制備方法，采用物理氣相傳輸法制備AlN單晶，其特征在于AlN晶體的制備方法是通過以下步驟實現的：
一、將AlN粉末置于坩堝中，然后將籽晶固定在坩堝頂部，籽晶與AlN粉末的距離不大于10mm，再把坩堝放到單晶生長爐中，向坩堝內通入氮氣，在1個大氣壓的氮氣氣氛下，以50℃/h～200℃/h的升溫速率，加熱升溫至1800℃～2000℃，并保溫1～5小時，完成AlN粉末的預燒結；
二、將坩堝內預燒結后的AlN粉末在1個大氣壓的高純氮氣氣氛下，以50℃/h～200℃/h的升溫速率，加熱升溫至2150℃～2500℃，進行保溫反應8～20小時，再以50℃/h～200℃/h的降溫速率，降至室溫，得到AlN晶體；
步驟一中所述籽晶為零微管偏角度SiC籽晶或SiC/AlN復合籽晶，其中零微管偏角度SiC籽晶的晶型為6H-，偏角度是指SiC偏離面0°～8°的角度。
2.根據權利要求1所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟一中控制籽晶與AlN粉末的距離為5～9mm。
3.根據權利要求2所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟一中SiC/AlN復合籽晶是通過金屬有機物化學氣相沉積法，在零微管偏角度SiC襯底上外延生長AlN緩沖層制備而成。
4.根據權利要求3所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟一中所述籽晶的直徑為1英寸、2英寸或3英寸。
5.根據權利要求1所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟一中所述零微管偏角度SiC的偏角度是指SiC偏離的角度。
6.根據權利要求1所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟一中所述零微管偏角度SiC的偏角度是指SiC偏離的角度。
7.根據權利要求1或2所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟二中加熱升溫至2200℃～2450℃，進行保溫反應8～20小時。
8.根據權利要求1或2所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟二中加熱升溫至2250℃～2400℃進行保溫反應8～20小時。
9.根據權利要求1或2所述的一種AlN晶體的制備方法，其特征在于步驟二中加熱升溫至2300℃，進行保溫反應8～20小時。
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