[發明專利]調整方法和基板處理裝置

有效

• 申請號: 201210091863.5
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102732850A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 茅野孝;青木洋治郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/44
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

技術領域

本發明涉及對基板進行規定的處理的多個處理室的內部的調整方法和基板處理裝置。

背景技術

在半導體器件的制造過程中，對作為被處理基板的半導體晶片實施成膜或蝕刻等規定的處理。另外，FPD(Flat?Panel?Display：平板顯示器)的制造過程中，對FPD用的玻璃基板實施成膜或蝕刻等規定的處理。這些處理使用具備多個對基板進行規定的處理的處理室的多腔室型的基板處理裝置。通過使用該基板處理裝置，能夠在始終如一的氣氛中對基板進行多個處理。

但是，在半導體器件和FPD的制造過程中，有時在基板處理裝置中連續進行種類不同的多個工序。一系列的工序能夠通過組合條件不同的多個處理室進行。例如，通過將在規定的條件下進行基板的處理的處理室和在與該處理室不同的條件下進行基板的處理其他的處理室組合，能夠連續進行種類不同的兩個工序。

在專利文獻1記載有在接觸孔內形成作為接觸層的Ti膜和作為屏蔽層的TiN膜的技術。在專利文獻1中，為了形成這些膜，使用具備利用化學氣相沉積法(CVD法)成膜Ti膜的兩個Ti成膜裝置和利用CVD法成膜TiN膜的兩個TiN成膜裝置的多腔室型的成膜系統。Ti膜的成膜，將晶片搬入Ti成膜裝置來進行。TiN膜的成膜，將成膜過Ti膜之后的晶片繼續裝入TiN成膜裝置來進行。

現有技術文獻

專利文獻1：特開2003-221671號公報

發明內容

發明要解決的問題

在進行成膜或蝕刻等的處理的處理室的內壁和部件上，每當重復進行處理時，會附著堆積反應生成物。這樣的附著物，當剝離時成為顆粒而附著于基板，成為使產品質量降低的原因。

為了除去了上述的附著物，需要對處理室的內部進行清潔。進行成膜處理的處理室的清潔，例如通過在將處理室內的溫度保持為規定的溫度之后，向處理室內供給ClF₃氣體、NF₃氣體、Cl₂氣體等的清潔氣體來進行。另外，在實施過清潔之后，為了使在后續工藝的第一個晶片和第二個以后的晶片的處理條件一致，進行使薄膜在處理室內堆積的預敷處理。將包含這樣的清潔和預敷，修整處理室內的環境的處理稱為調整。通過定期進行這樣的調整，能夠防止顆粒的產生。進行調整的周期根據成膜條件和蝕刻條件而變化。

在具備多個處理室的多腔室型的基板處理裝置中，在各處理室中，在各自的定時進行調整。各處理室中進行調整的定時并不必一致。特別是，通過組合成膜條件不同的多個處理室，連續進行種類不同的多個成膜工序時，每個處理室進行調整的周期不同，因此在各處理室中進行調整的定時并不一致。在連續進行種類不同的多個成膜工序的情況下，當處理室中進行調整的定時不一致時，產生以下那樣的問題。在該情況下，在先進行成膜處理的處理室(以下稱為在先處理室。)中進行調整的期間，在后進行成膜處理的處理室(以下稱為在后處理室。)中，不從在先處理室搬入基板，因此不能進行基板的成膜處理。另外，在后處理室中進行調整的期間，在先處理室中不能向在后處理室輸送基板，因此不能進行下一個基板的成膜處理。

這樣，當多個處理室中的任一的處理室中進行調整時，在與進行調整的處理室有關的其他的處理室中，不能進行基板的成膜處理。因此，各處理室的生產率(在單位時間內能夠處理的基板的個數)，除了降低在該處理室中的調整所需要的時間對應的量之外，而且還降低在其他的處理室中的調整所需要的時間對應的量。其結果，基板處理裝置整體的生產率降低。

本發明是鑒于該問題而完成的，其目的在于，提供一種調整方法和基板處理裝置，在具備對基板進行規定處理的多個處理室的基板處理裝置中，周期地調整處理室的內部，能夠提高基板處理裝置的生產率。

用于解決課題的方法

本發明的調整方法是在具有對基板進行規定的處理的多個處理室的基板處理裝置中調整上述處理室的內部的方法。在本發明的調整方法中，上述多個處理室包含組合對基板進行一系列的工序的第一處理室和第二處理室，在上述第一處理室中，當與基板的處理相關聯設定的第一累計值達到設定值N1時，實施調整。

本發明的調整方法，當由于上述第一處理室的調整的開始而中斷上述一系列的工序時，上述第二處理室成為待機狀態，并且以至少在上述第二處理室中與基板的處理相關聯而設定的第二累計值為設定值N2以上作為條件，在上述第二處理室中開始第三累計值的計數，當該第三累計值超過設定值N3時，實施上述第二處理室的調整。