[發明專利]調整方法和基板處理裝置

有效

• 申請號: 201210091863.5
• 申請日: 2012-03-30
• 公開（公告）號: CN102732850A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 茅野孝;青木洋治郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: C23C16/00
• 分類號: C23C16/00;C23C16/44
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種調整方法，在具備對基板進行規定處理的多個處理室的基板處理裝置中對所述處理室的內部進行調整，該調整方法的特征在于，包括：

所述多個處理室包括相互組合而對基板實施一系列的工序的第一處理室和第二處理室，

在所述第一處理室中，在與基板的處理相關聯而設定的第一累計值達到設定值N1時，實施調整，

當由于所述第一處理室的調整的開始而中斷所述一系列的工序時，所述第二處理室成為待機狀態，并且以至少在所述第二處理室中與基板的處理相關聯而設定的第二累計值為設定值N2以上作為條件，在所述第二處理室中開始第三累計值的計數，當該第三累計值超過設定值N3時，實施所述第二處理室的調整。

2.如權利要求1所述的調整方法，其特征在于：

所述一系列的工序包括：在所述第一處理室中，對基板進行規定的處理的工序；和在所述第二處理室中，對在所述第一處理室中已進行過規定的處理的基板進行與所述第一處理室不同的處理的工序，

所述第一累計值是伴隨所述第一處理室中的基板的處理進行累計并且通過進行所述第一處理室的調整而成為0的值，

所述第二累計值是伴隨所述第二處理室中的基板的處理進行累計并且通過進行所述第二處理室的調整而成為0的值，

所述第二處理室設定為，當所述第二累計值達到設定值N4時，與所述第一處理室獨立地實施調整，并且所述設定值N4是比所述設定值N1大的值。

3.如權利要求2所述的調整方法，其特征在于：

所述第一累計值是在所述第一處理室中在上一次的調整結束后已進行過處理的基板的累計個數，

所述第二累計值是在所述第二處理室中在上一次的調整結束后已進行過處理的基板的累計個數。

4.如權利要求3所述的調整方法，其特征在于：

所述設定值N2與從所述設定值N4減去所述設定值N1所得的值相等。

5.如權利要求1至4中任一項所述的調整方法，其特征在于：

所述第三累計值是所述第二處理室處于待機狀態所經過的時間。

6.如權利要求1至4中任一項所述的調整方法，其特征在于：

所述第一處理室的調整所需要的時間比所述第二處理室的調整所需要的時間長。

7.如權利要求6所述的調整方法，其特征在于：

所述設定值N3與從所述第一處理室的調整所需要的時間減去所述第二處理室的調整所需要的時間所得的時間相同或比其短。

8.如權利要求6所述的調整方法，其特征在于：

所述設定值N3僅比從所述第一處理室的調整所需要的時間減去所述第二處理室的調整所需要的時間所得的時間長出在所述第一處理室中對一個基板進行規定處理所需要的時間的量。

9.如權利要求1至4中任一項所述的調整方法，其特征在于：

在開始所述第三累計值的計數之前，至少將所述第二累計值與所述設定值N2進行比較，判定是否進行所述第二處理室的調整。

10.如權利要求1至4中任一項所述的調整方法，其特征在于：

根據所述第三累計值是否超過設定值N3，判定是否進行所述第二處理室的調整。

11.如權利要求1至4中任一項所述的調整方法，其特征在于：

所述調整是包括除去所述處理室內的附著物的清潔處理和在所述處理室內堆積薄膜的預敷處理中的至少任一個的處理。

12.一種基板處理裝置，其包括：

對基板進行規定處理的多個處理室；和

控制所述多個處理室中的動作的控制部，

所述基板處理裝置周期地對處理室的內部進行調整，

該基板處理裝置的特征在于：

所述多個處理室包括相互組合而對基板進行一系列的工序的第一處理室和第二處理室，

所述控制部，以如下方式進行控制：

在所述第一處理室中，當與基板的處理相關聯而設定的第一累計值達到設定值N1時實施調整，當由于所述第一處理室的調整的開始而中斷所述一系列的工序時，使所述第二處理室成為待機狀態，并且以至少在所述第二處理室中與基板的處理相關聯而設定的第二累計值為設定值N2以上作為條件，在所述第二處理室中開始第三累計值的計數，當該第三累計值超過設定值N3時實施所述第二處理室的調整。

13.如權利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于：

所述多個處理室還包括相互組合而對基板進行一系列的工序的第三處理室和第四處理室，在所述第三處理室和第四處理室中，通過進行與所述第一處理室和第二處理室相同的控制實施調整。