[發明專利]減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法、MOS器件制造方法有效
| 申請號： | 201210090903.4 | 申請日： | 2012-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN102610528A | 公開（公告）日： | 2012-07-25 |
| 發明（設計）人： | 俞柳江 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/336 | 分類號： | H01L21/336;H01L21/311;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 減小 半導體器件 誘導 泄漏 方法 mos 器件 制造 | ||
1.一種減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法，其特征在于包括：
柵極側墻薄膜形成步驟，用于在柵極側壁上形成柵極側墻薄膜；
光刻膠涂覆步驟，用于將光刻膠涂覆在柵極上以覆蓋柵極的一個側壁并露出柵極的另一側壁；
第一側壁刻蝕步驟，用于利用所述光刻膠對露出的柵極的所述另一柵極側墻薄膜進行刻蝕；
光刻膠去除步驟，用于去除所述光刻膠；以及
第二側壁刻蝕步驟，用于在去除光刻膠之后對柵極側墻薄膜進行刻蝕，其中除了柵極側壁上的柵極側墻薄膜之外的其它的柵極側墻薄膜被去除。
2.根據權利要求1所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法，其特征在于，在所述第一側壁刻蝕步驟中的橫向刻蝕速度與縱向刻蝕速度的比值高于所述第二側壁刻蝕步驟中的橫向刻蝕速度與縱向刻蝕速度的比值。
3.根據權利要求2所述的減小半導體器件柵誘導漏極泄漏的方法，其特征在于還包括：控制所述第一側壁刻蝕步驟的橫向刻蝕速度和縱向刻蝕速度、以及所述第二側壁刻蝕步驟的橫向刻蝕速度和縱向刻蝕速度，以使得所述第二側壁刻蝕步驟之后得到柵極兩側的側墻的寬度之和等于預定值。
4.一種MOS器件制造方法，其特征在于包括：
柵極側墻薄膜形成步驟，用于在柵極側壁上形成柵極側墻薄膜；
光刻膠涂覆步驟，用于將光刻膠涂覆在柵極上以覆蓋漏極側的柵極側壁并露出源極側的柵極側壁；
第一側壁刻蝕步驟，用于利用所述光刻膠對源極側的柵極側墻薄膜進行刻蝕；
光刻膠去除步驟，用于去除所述光刻膠；
第二側壁刻蝕步驟，用于在去除光刻膠之后對柵極側墻薄膜進行刻蝕，其中除了柵極側壁上的柵極側墻薄膜之外的其它的柵極側墻薄膜被去除；
源漏摻雜步驟，用于在所述第二側壁刻蝕步驟之后對漏極和源極執行摻雜。
5.根據權利要求5所述的MOS器件制造方法，其特征在于，所述第一側壁刻蝕步驟中的橫向刻蝕速度與縱向刻蝕速度的比值高于所述第二側壁刻蝕步驟中的橫向刻蝕速度與縱向刻蝕速度的比值。
6.根據權利要求5所述的MOS器件制造方法，其特征在于，控制所述第一側壁刻蝕步驟的橫向刻蝕速度和縱向刻蝕速度、以及所述第二側壁刻蝕步驟的橫向刻蝕速度和縱向刻蝕速度，以使得所述第二側壁刻蝕步驟之后得到柵極兩側的側墻的寬度之和等于預定值。
7.根據權利要求4至6之一所述的MOS器件制造方法，其特征在于還包括退火步驟。
8.一種根據權利要求4至7之一所述的MOS器件制造方法制成的MOS器件。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
