[發明專利]存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201210089926.3
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367257A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 蔣汝平;謝榮源
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

1.一種存儲器的制造方法，包括：

提供一基底，該基底包括一有源區與一周邊區；

于該基底上形成一第一導體層；

于該第一導體層上形成一罩幕圖案，該罩幕圖案包括位于該有源區的一第一線形圖案與位于該周邊區的一ㄩ字形圖案，該ㄩ字形圖案具有一第二線形圖案、一第三線形圖案以及一第四線形圖案，其中該第二線形圖案及該第三線形圖案與該第四線形圖案的兩端連接，使該第二線形圖案、該第三線形圖案以及該第四線形圖案形成一第一開口，該第一線形圖案的末端與該ㄩ字形圖案的該第二線形圖案的末端以外的位置連接；

對該罩幕圖案實施修整工藝，以縮小該第一線形圖案、該第二線形圖案、該第三線形圖案以及該第四線形圖案的線寬；

于該罩幕圖案的側壁上自行對準地形成一絕緣圖案，該絕緣圖案填滿該第一開口；

移除該罩幕圖案，使該絕緣圖案具有暴露出部分該第一導體層的一溝槽，該溝槽的輪廓對應于該罩幕圖案的輪廓；

移除部分該絕緣圖案，使絕緣圖案具有一第二開口，該第二開口與該溝槽連通；

以該絕緣圖案為罩幕，圖案化該第一導體層，以分別于該有源區與該周邊區形成一第一導體圖案與一第二導體圖案；

移除該絕緣圖案；

于該基底上形成一介電層，該介電層位于該第一導體圖案與該第二導體圖案之間；以及

于該介電層上形成與該第二導體圖案電性連接的一第三導體圖案。

2.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該絕緣圖案包括一第一部分與一第二部分，該第一部分圍繞該罩幕圖案，該第二部分填滿該第一開口，其中該第一部分與該第二部分連接且該第一部分環繞該第二部分。

3.如權利要求2所述的存儲器的制造方法，其中該第一部分包括一第一子部分、一第二子部分以及一第三子部分，其中該第二子部分連接該第一子部分與該第三子部分，該第一子部分與該第二部分連接。

4.如權利要求3所述的存儲器的制造方法，其中移除部分該絕緣圖案的步驟包括：

移除該第一部分中未與該第二部分連接的一部分，使該第一部分包括分離的兩個部分，其中該第二部分經由該第二開口暴露于外。

5.如權利要求4所述的存儲器的制造方法，其中移除部分該絕緣圖案的步驟包括：

移除該第一部分中的該第二子部分，使得該第一子部分與該第三子部分分離，且該第二部分經由第二開口暴露于外。

6.如權利要求2所述的存儲器的制造方法，其中形成該第三導體圖案的方法包括：

于該介電層上形成一第二導體層，該第二導體層覆蓋該介電層、該第一導體圖案以及該第二導體圖案；

于該第二導體層上形成一光阻圖案，其中該光阻圖案與該第二導體圖案重疊；以及

以該光阻圖案為罩幕，圖案化該第二導體層，以形成該第三導體圖案。

7.如權利要求6所述的存儲器的制造方法，該光阻圖案的形成位置至少對應于該絕緣圖案的該第二部分的位置。

8.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第一導體圖案與該第二導體圖案的材料包括鎢。

9.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第三導體圖案的材料包括鋁。

10.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第一導體圖案的線寬介于25nm至42nm。

11.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其中該第一導體圖案的線寬為該第二導體圖案的線寬的兩倍。