[發明專利]存儲器的制造方法

有效

• 申請號: 201210089926.3
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367257A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 蔣汝平;謝榮源
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張龍哺;馮志云

技術領域

本發明有關于存儲器制造技術，且特別有關于一種存儲器的制造方法。

背景技術

非易失性存儲器因具有可多次進行數據的存入、讀取、抹除等特性，且存入的數據在斷電后也不會消失，因此被廣泛應用于個人電腦和電子設備。隨著非易失性存儲器的尺寸逐漸縮小，為了克服微影工藝中光源解析度的限制，發展了一種雙重圖案化工藝(double?patterning?process)，以增加元件的集成度。

然而，為了要同時定義出有源區與周邊區的導體圖案，通常至少需使用到三道光罩，舉例來說，第一道光罩用來定義罩幕層的最小線寬與間距(L/S)，第二道光罩用來切除不需要的罩幕圖案，以及第三道光罩用來形成有源區與周邊區的導體圖案，其中有源區與周邊區的導體圖案由相同導體材料形成。一般來說，為了提升元件的操作速度，相較于有源區的導體圖案，周邊區的導體圖案較佳是由低阻值導體材料所形成。因此，在實施上述使用三道光罩的工藝后，通常會額外于周邊區以低阻值導體材料形成接觸窗以及接觸插塞等元件，以與周邊區的導體圖案電性連接。然而，此舉增加了存儲器元件的工藝步驟與成本。

發明內容

本發明提供一種存儲器的制造方法，以提升周邊區的效能。

本發明提供一種存儲器的制造方法。提供基底，基底包括有源區與周邊區。于基底上形成第一導體層。于第一導體層上形成罩幕圖案，罩幕圖案包括位于有源區的第一線形圖案與位于周邊區的ㄩ字形圖案，ㄩ字形圖案具有第二線形圖案、第三線形圖案以及第四線形圖案，其中第二線形圖案及第三線形圖案與第四線形圖案的兩端連接，使第二線形圖案、第三線形圖案以及第四線形圖案形成第一開口，第一線形圖案的末端與ㄩ字形圖案的第二線形圖案的末端以外的位置連接。對罩幕圖案實施修整工藝，以縮小第一線形圖案、第二線形圖案、第三線形圖案以及第四線形圖案的線寬。于罩幕圖案的側壁上自行對準地形成絕緣圖案，絕緣圖案填滿第一開口。移除罩幕圖案，使絕緣圖案具有暴露出部分第一導體層的溝槽，溝槽的輪廓對應于罩幕圖案的輪廓。移除部分絕緣圖案，使絕緣圖案具有第二開口，第二開口與溝槽連通。以絕緣圖案為罩幕，圖案化第一導體層，以分別于有源區與周邊區形成第一導體圖案與第二導體圖案。移除絕緣圖案。于基底上形成介電層，介電層位于第一導體圖案與第二導體圖案之間。于介電層上形成與第二導體圖案電性連接的第三導體圖案。

本發明通過具特殊構形的罩幕圖案、移除特定部分的絕緣圖案以及圖案化光阻層的形成位置，可在不額外增加光罩數的條件下，使得周邊區的第三導體圖案與有源區的第一導體圖案具有不同材料，進而提升周邊區的效能。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A至圖11A是依照本發明的一實施例的一種存儲器的制造方法的流程俯視圖。

圖1B至圖11B分別是沿圖1A至圖11A的I-I’線與II-II’線的剖面示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

100：基底

102：有源區

104：周邊區

110：阻絕層

120、170：導體層

122、124、170a：導體圖案

130：罩幕圖案

130a：側壁

132、134a、134b、134c：線形圖案

134：ㄩ字形圖案

136、148、150a：開口

140、140’：絕緣圖案

142、144：部分

142a、142b、142c：子部分

146：溝槽

150：圖案化光阻層

160：介電層

172：導體層

174、176：阻障層

180：光阻圖案

L1、L1’、L2、L2’、L3、L4：線寬

S1、S1’、S2、S2’、S3、S4：間距

TP：修整工藝

具體實施方式

圖1A至圖11A是依照本發明的一實施例的一種存儲器的制造方法的流程俯視圖，以及圖1B至圖11B分別是沿圖1A至圖11A的I-I’線與II-II’線的剖面示意圖。特別說明的是，一般會使用包括多個罩幕圖案的罩幕層來進行存儲器的制作，因此為了清楚標示罩幕圖案的線寬與間距，在圖1B至圖11B是以I-I’線沿三個罩幕圖案的剖面圖為例來進行說明。