[發(fā)明專利]不規(guī)則加熱器及其加熱方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210089351.5
• 申請(qǐng)日: 2012-03-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102540532A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 章小兵;劉波;李拓輝;沈建;趙小珍;陳文明;朱標(biāo)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中航華東光電有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/133
• 分類號(hào): G02F1/133;H05B3/00
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務(wù)所 34116
• 代理人: 胡敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及彩色液晶顯示器內(nèi)的屏加熱器，尤其是涉及不規(guī)則加熱器及其加熱方法。

背景技術(shù)

在飛行器上，往往會(huì)根據(jù)受限的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不規(guī)則形狀的液晶顯示器，因此它的加熱器也是不規(guī)則形狀的。

常見(jiàn)的液晶顯示器的加熱器是矩形的，可以在矩形加熱器的兩條對(duì)邊貼上導(dǎo)電銅箔，然后抽出2個(gè)電極(見(jiàn)圖1)，就可以實(shí)現(xiàn)均勻加熱。從圖1可知從電極1到電極2的面電阻是均勻的。

而對(duì)于不規(guī)則加熱器，導(dǎo)電銅箔條和電極的引出將決定加熱的均勻性，見(jiàn)圖2，加熱器為不規(guī)則的五邊形結(jié)構(gòu)。銅箔條和電極的安裝位置不當(dāng)，甚至?xí)辜訜崞饕蚣訜岵痪鶆蚨验_(kāi)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有不規(guī)則加熱器中存在的問(wèn)題，提供改進(jìn)型的不規(guī)則加熱器以及所述不規(guī)則加熱器的加熱方法，實(shí)現(xiàn)不規(guī)則加熱加熱均勻性，防止因加熱不均勻而裂開(kāi)的現(xiàn)象發(fā)生。

本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，不規(guī)則加熱器，其包括：加熱器本體，所述加熱器本體為具有依次首尾相接的第一邊、第二邊、第三邊、第四邊以及第五邊的五邊形結(jié)構(gòu)；第一導(dǎo)電條、第二導(dǎo)電條、第三導(dǎo)電條；從所述第一導(dǎo)電條、所述第二導(dǎo)電條、所述第三導(dǎo)電條分別引出的第一電極、第二電極、第三電極；以及用于驅(qū)動(dòng)所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極通有電流的驅(qū)動(dòng)電路；其中，所述第一邊、所述第三邊以及所述第四邊上分別固定所述第一導(dǎo)電條、所述第二導(dǎo)電條、所述第三導(dǎo)電條，且所述第四邊上的第三導(dǎo)電條設(shè)置在所述第四邊靠近所述第五邊的一端。

作為上述方案的進(jìn)一步改進(jìn)，所述驅(qū)動(dòng)電路包括：控制單元，包括第一電極控制端、第二電極控制端、接地控制端以及若干A/D接口；加熱電源；硬件保護(hù)MOS管T3，所述硬件保護(hù)MOS管T3的源極連接于所述加熱電源；P溝道MOS管T1，所述P溝道MOS管T1的源極連接于所述硬件保護(hù)MOS管T3的漏極，所述P溝道MOS管T1的漏極連接于第一電極，所述P溝道MOS管T1的柵極經(jīng)由電阻R1連接至所述P溝道MOS管T1的源極；第一光電耦合器，所述第一光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第一電極控制端，所述第一光電耦合器的二極管的陽(yáng)極經(jīng)由上拉電阻R2連接于電源，所述第一光電耦合器的三極管的發(fā)射極接地，所述第一光電耦合器的三級(jí)管的集電極經(jīng)由電阻R3連接至所述P溝道MOS管T1的柵極；N溝道MOS管T2，所述N溝道MOS管T2的漏極連接于所述第一電極，所述N溝道MOS管T2的源極連接于第三電極；第二光電耦合器，所述第二光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第一電極控制端，所述第二光電耦合器的二極管的陽(yáng)極經(jīng)由上拉電阻R4連接于電源，所述第二光電耦合器的三極管的發(fā)射極接地，所述第二光電耦合器的三級(jí)管的集電極經(jīng)由電阻R5連接至所述P溝道MOS管T1的源極，所述第二光電耦合器的三級(jí)管的集電極還連接至所述N溝道MOS管T2的柵極，所述第二光電耦合器的三級(jí)管的發(fā)射極與集電極之間還串聯(lián)有電阻R6；P溝道MOS管T5，所述P溝道MOS管T5的源極連接于所述硬件保護(hù)MOS管T3的漏極，所述P溝道MOS管T5的漏極連接于第二電極，所述P溝道MOS管T5的柵極經(jīng)由電阻R7連接至所述P溝道MOS管T5的源極；第三光電耦合器，所述第三光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第二電極控制端，所述第三光電耦合器的二極管的陽(yáng)極經(jīng)由上拉電阻R8連接于電源，所述第三光電耦合器的三極管的發(fā)射極接地，所述第三光電耦合器的三級(jí)管的集電極經(jīng)由電阻R9連接至所述P溝道MOS管T5的柵極；N溝道MOS管T6，所述N溝道MOS管T6的漏極連接于所述第二電極，所述N溝道MOS管T6的源極連接于第三電極；第四光電耦合器，所述第四光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第二電極控制端，所述第四光電耦合器的二極管的陽(yáng)極經(jīng)由上拉電阻R10連接于電源，所述第四光電耦合器的三極管的發(fā)射極接地，所述第四光電耦合器的三級(jí)管的集電極經(jīng)由電阻R11連接至所述P溝道MOS管T5的源極，所述第四光電耦合器的三級(jí)管的集電極還連接至所述N溝道MOS管T6的柵極，所述第四光電耦合器的三級(jí)管的發(fā)射極與集電極之間還串聯(lián)有電阻R12；接地總開(kāi)關(guān)MOS管T4，所述接地總開(kāi)關(guān)MOS管T4的漏極連接于所述N溝道MOS管T6的源極，所述接地總開(kāi)關(guān)MOS管T4的源極接地；第五光電耦合器，所述第五光電耦合器的輸入端連接于所述接地控制端，所述第五光電耦合器的輸出端連接于所述接地總開(kāi)關(guān)MOS管T4的柵極；若干溫度傳感器，所述若干溫度傳感器分別連接于所述若干A/D接口，用于將采集到的溫度傳遞至所述控制單元；邏輯電路，所述邏輯電路用于根據(jù)所述若干溫度傳感器采集到的溫度控制所述硬件保護(hù)MOS管T3的開(kāi)啟與通斷，所述邏輯電路的輸入端連接于所述控制單元，所述邏輯電路的輸出端連接于所述硬件保護(hù)MOS管T3的柵極。