[發明專利]不規則加熱器及其加熱方法

有效

• 申請號: 201210089351.5
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN102540532A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 章小兵;劉波;李拓輝;沈建;趙小珍;陳文明;朱標
• 申請（專利權）人: 中航華東光電有限公司
• 主分類號: G02F1/133
• 分類號: G02F1/133;H05B3/00
• 代理公司: 安徽匯樸律師事務所 34116
• 代理人: 胡敏

1.不規則加熱器，其包括加熱器本體，所述加熱器本體為具有依次首尾相接的第一邊、第二邊、第三邊、第四邊以及第五邊的五邊形結構，其特征在于，所述不規則加熱器還包括：

第一導電條、第二導電條、第三導電條；

從所述第一導電條、所述第二導電條、所述第三導電條分別引出的第一電極、第二電極、第三電極；以及

用于驅動所述第一電極、所述第二電極、所述第三電極通有電流的驅動電路；

其中，所述第一邊、所述第三邊以及所述第四邊上分別固定所述第一導電條、所述第二導電條、所述第三導電條，且所述第四邊上的第三導電條設置在所述第四邊靠近所述第五邊的一端。

2.如權利要求1所述的不規則加熱器，其特征在于，所述驅動電路包括：

控制單元，包括第一電極控制端、第二電極控制端、接地控制端以及若干A/D接口；

加熱電源；

硬件保護MOS管T3，所述硬件保護MOS管T3的源極連接于所述加熱電源；

P溝道MOS管T1，所述P溝道MOS管T1的源極連接于所述硬件保護MOS管T3的漏極，所述P溝道MOS管T1的漏極連接于第一電極，所述P溝道MOS管T1的柵極經由電阻R1連接至所述P溝道MOS管T1的源極；

第一光電耦合器，所述第一光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第一電極控制端，所述第一光電耦合器的二極管的陽極經由上拉電阻R2連接于電源，所述第一光電耦合器的三極管的發射極接地，所述第一光電耦合器的三級管的集電極經由電阻R3連接至所述P溝道MOS管T1的柵極；

N溝道MOS管T2，所述N溝道MOS管T2的漏極連接于所述第一電極，所述N溝道MOS管T2的源極連接于第三電極；

第二光電耦合器，所述第二光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第一電極控制端，所述第二光電耦合器的二極管的陽極經由上拉電阻R4連接于電源，所述第二光電耦合器的三極管的發射極接地，所述第二光電耦合器的三級管的集電極經由電阻R5連接至所述P溝道MOS管T1的源極，所述第二光電耦合器的三級管的集電極還連接至所述N溝道MOS管T2的柵極，所述第二光電耦合器的三級管的發射極與集電極之間還串聯有電阻R6；

P溝道MOS管T5，所述P溝道MOS管T5的源極連接于所述硬件保護MOS管T3的漏極，所述P溝道MOS管T5的漏極連接于第二電極，所述P溝道MOS管T5的柵極經由電阻R7連接至所述P溝道MOS管T5的源極；

第三光電耦合器，所述第三光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第二電極控制端，所述第三光電耦合器的二極管的陽極經由上拉電阻R8連接于電源，所述第三光電耦合器的三極管的發射極接地，所述第三光電耦合器的三級管的集電極經由電阻R9連接至所述P溝道MOS管T5的柵極；

N溝道MOS管T6，所述N溝道MOS管T6的漏極連接于所述第二電極，所述N溝道MOS管T6的源極連接于第三電極；

第四光電耦合器，所述第四光電耦合器的二極管的陰極連接至所述第二電極控制端，所述第四光電耦合器的二極管的陽極經由上拉電阻R10連接于電源，所述第四光電耦合器的三極管的發射極接地，所述第四光電耦合器的三級管的集電極經由電阻R11連接至所述P溝道MOS管T5的源極，所述第四光電耦合器的三級管的集電極還連接至所述N溝道MOS管T6的柵極，所述第四光電耦合器的三級管的發射極與集電極之間還串聯有電阻R12；

接地總開關MOS管T4，所述接地總開關MOS管T4的漏極連接于所述N溝道MOS管T6的源極，所述接地總開關MOS管T4的源極接地；

第五光電耦合器，所述第五光電耦合器的輸入端連接于所述接地控制端，所述第五光電耦合器的輸出端連接于所述接地總開關MOS管T4的柵極；

若干溫度傳感器，所述若干溫度傳感器分別連接于所述若干A/D接口，用于將采集到的溫度傳遞至所述控制單元；

邏輯電路，所述邏輯電路用于根據所述若干溫度傳感器采集到的溫度控制所述硬件保護MOS管T3的開啟與通斷，所述邏輯電路的輸入端連接于所述控制單元，所述邏輯電路的輸出端連接于所述硬件保護MOS管T3的柵極。

3.如權利要求2所述的不規則加熱器，其特征在于，所述若干溫度傳感器為三個第一熱敏電阻、第二熱敏電阻以及第三熱敏電阻，所述第一熱敏電阻設置在所述第五邊的中部，所述第二熱敏電阻設置在所述第二邊中部，所述第三熱敏電阻設置在所述第四邊中部。