[發明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210089295.5
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102646633A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 鐘宜臻;陳佳榆;辜慧玲;陳宇宏;周奇緯;張凡偉;呂學興;丁宏哲
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種陣列基板的制作方法，包括：

提供一基板；

進行一第一光罩工藝，以于該基板上形成一柵極電極；

形成一柵極介電層，以覆蓋該基板以及該柵極電極；

進行一第二光罩工藝，該第二光罩工藝包括：

于該柵極介電層上依序形成一半導體層、一蝕刻阻擋層以及一硬掩膜層，并于該硬掩膜層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑；

利用該第二圖案化光致抗蝕劑對該硬掩膜層進行一過蝕刻工藝，以于該蝕刻阻擋層上形成一圖案化硬掩膜層；

利用該第二圖案化光致抗蝕劑對該蝕刻阻擋層進行一第一蝕刻工藝；

利用該第二圖案化光致抗蝕劑對該半導體層進行一第二蝕刻工藝，以于該柵極介電層上形成一圖案化半導體層；以及

將未被該圖案化硬掩膜層覆蓋的該蝕刻阻擋層移除以于該圖案化半導體層上形成一圖案化蝕刻阻擋層；以及

進行一第三光罩工藝，以于該圖案化蝕刻阻擋層與該圖案化半導體層之上形成一源極電極以及一漏極電極。

2.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第二光罩工藝更包括將未被該圖案化半導體層覆蓋的該柵極介電層移除。

3.如權利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括利用該第一光罩工藝于該基板上形成一墊電極，且利用該第二光罩工藝暴露出部份的該墊電極。

4.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三光罩工藝包括：

形成一第二導電層，以覆蓋該圖案化硬掩膜層以及該圖案化半導體層；

于該第二導電層上形成一透明導電層，并于該透明導電層上形成一第三圖案化光致抗蝕劑；以及

將未被該第三圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該透明導電層以及該第二導電層移除，以形成一像素電極、該源極電極以及該漏極電極。

5.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括在形成該第二導電層之前，移除該圖案化硬掩膜層。

6.如權利要求4所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括進行一第四光罩工藝，以于該源極電極以及該漏極電極上形成一間隔層，其中該間隔層具有一像素開口，且該像素開口是至少部分暴露該像素電極。

7.如權利要求6所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第四光罩工藝更包括于形成該間隔層之前，先形成一保護層，以至少部分覆蓋該源極電極、該漏極電極以及該圖案化蝕刻阻擋層。

8.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三光罩工藝包括：

形成一第二導電層，以覆蓋該圖案化硬掩膜層以及該圖案化半導體層；

于該第二導電層上形成一透明導電層，并于該透明導電層上形成一間隔層；以及

將未被該間隔層覆蓋的該透明導電層以及該第二導電層移除，以形成一像素電極、該源極電極以及該漏極電極。

9.如權利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該間隔層包括一第一厚度區以及一第二厚度區，且位于該第二厚度區的該間隔層的一厚度是小于位于該第一厚度區的該間隔層的一厚度。

10.如權利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，更包括將該第二厚度區的該間隔層移除，以形成一像素開口，其中該像素開口是部份暴露該像素電極。

11.如權利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第一光罩工藝包括：

于該基板上依序形成一透明導電層以及一第一導電層，并于該第一導電層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑；以及

將未被該第一圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該第一導電層以及該透明導電層移除，以形成該柵極電極與一像素電極。

12.如權利要求11所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，該第三光罩工藝包括：

形成一第二導電層，以覆蓋該圖案化硬掩膜層、該圖案化半導體層以及部分的該第一導電層；

于該第二導電層上形成一第三圖案化光致抗蝕劑；

將未被該第三圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該第二導電層移除，以形成該源極電極與該漏極電極；以及

將至少部分的未被該第三圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該第一導電層移除以至少部分暴露出該像素電極。