[發明專利]陣列基板及其制作方法

有效

• 申請號: 201210089295.5
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102646633A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發明（設計）人: 鐘宜臻;陳佳榆;辜慧玲;陳宇宏;周奇緯;張凡偉;呂學興;丁宏哲
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 梁揮;祁建國

技術領域

本發明是關于一種陣列基板及其制作方法，尤指一種工藝簡化的陣列基板的制作方法。

背景技術

在目前的全彩顯示技術中，主動陣列式顯示裝置例如主動陣列式液晶顯示器(Active?Matrix?Liquid?Crystal?Display，AMLCD)與主動陣列式有機發光裝置(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diodes，AMOLED)均需要一具有數個薄膜晶體管(thin?film?transistor，TFT)呈矩陣排列的陣列基板來驅動其顯示介質(例如液晶分子或有機發光層)，并通過像素的排列與混色而呈現出所需的顯示畫面。

陣列基板以及其薄膜晶體管的結構會依據所使用的半導體材料的不同而有所變化。目前顯示器業界較普遍使用的半導體層材料包括非晶硅半導體(amorphous?silicon?semiconductor)材料、多晶硅半導體(poly?silicon?semiconductor)材料、有機半導體(organic?semiconductor)材料以及氧化物半導體(oxide?semiconductor)材料等。半導體材料本身的材料性質與陣列基板以及其薄膜晶體管中其他材料之間的搭配狀況將直接影響到陣列基板的結構設計與其工藝步驟的復雜度。因此，為了提升陣列基板以及其薄膜晶體管的品質，往往需導入較復雜的結構(例如通過蝕刻阻擋層來保護半導體層)，而相對地導致工藝的復雜化并使得制造成本增加。

發明內容

本發明的主要目的之一在于提供一種陣列基板及其制作方法，通過調整半導體層與蝕刻阻擋層的工藝步驟，達到工藝簡化與減少使用光罩數量的目的。

為達上述目的，本發明的一較佳實施例提供一種陣列基板的制作方法，包括下列步驟。首先，提供一基板。接著，進行一第一光罩工藝，以于基板上形成一柵極電極。然后，形成一柵極介電層，以覆蓋基板以及柵極電極。之后，進行一第二光罩工藝，此第二光罩工藝包括下列步驟。首先，于柵極介電層上依序形成一半導體層、一蝕刻阻擋層以及一硬掩膜層，并于硬掩膜層上形成一第二圖案化光致抗蝕劑。然后，利用第二圖案化光致抗蝕劑對硬掩膜層進行一過蝕刻工藝，以于蝕刻阻擋層上形成一圖案化硬掩膜層。接著，利用第二圖案化光致抗蝕劑對蝕刻阻擋層進行一第一蝕刻工藝。然后，利用第二圖案化光致抗蝕劑對半導體層進行一第二蝕刻工藝，以于柵極介電層上形成一圖案化半導體層。之后，將未被圖案化硬掩膜層覆蓋的蝕刻阻擋層移除以于圖案化半導體層上形成一圖案化蝕刻阻擋層。接著，進行一第三光罩工藝，以于圖案化蝕刻阻擋層與圖案化半導體層之上形成一源極電極以及一漏極電極。

該第二光罩工藝更包括將未被該圖案化半導體層覆蓋的該柵極介電層移除。

更包括利用該第一光罩工藝于該基板上形成一墊電極，且利用該第二光罩工藝暴露出部份的該墊電極。

該第三光罩工藝包括：形成一第二導電層，以覆蓋該圖案化硬掩膜層以及該圖案化半導體層；于該第二導電層上形成一透明導電層，并于該透明導電層上形成一第三圖案化光致抗蝕劑；以及將未被該第三圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該透明導電層以及該第二導電層移除，以形成一像素電極、該源極電極以及該漏極電極。

更包括在形成該第二導電層之前，移除該圖案化硬掩膜層。

更包括進行一第四光罩工藝，以于該源極電極以及該漏極電極上形成一間隔層，其中該間隔層具有一像素開口，且該像素開口是至少部分暴露該像素電極。

該第四光罩工藝更包括于形成該間隔層之前，先形成一保護層，以至少部分覆蓋該源極電極、該漏極電極以及該圖案化蝕刻阻擋層。

該第三光罩工藝包括：形成一第二導電層，以覆蓋該圖案化硬掩膜層以及該圖案化半導體層；于該第二導電層上形成一透明導電層，并于該透明導電層上形成一間隔層；以及將未被該間隔層覆蓋的該透明導電層以及該第二導電層移除，以形成一像素電極、該源極電極以及該漏極電極。

該間隔層包括一第一厚度區以及一第二厚度區，且位于該第二厚度區的該間隔層的一厚度是小于位于該第一厚度區的該間隔層的一厚度。

更包括將該第二厚度區的該間隔層移除，以形成一像素開口，其中該像素開口是部份暴露該像素電極。

該第一光罩工藝包括：于該基板上依序形成一透明導電層以及一第一導電層，并于該第一導電層上形成一第一圖案化光致抗蝕劑；以及將未被該第一圖案化光致抗蝕劑覆蓋的該第一導電層以及該透明導電層移除，以形成該柵極電極與一像素電極。