[發(fā)明專利]光半導(dǎo)體元件以及光半導(dǎo)體元件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210088419.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN102856458A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 澤井敬一;吾鄉(xiāng)富士夫;渡邊裕二;川上克二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 夏普株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 呂曉章

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及具有適合倒裝片(flip?chip)安裝的連接電極的光半導(dǎo)體元件、以及光半導(dǎo)體元件的制造方法。

背景技術(shù)

以白色化的實(shí)現(xiàn)以及發(fā)光效率的急速上升等的技術(shù)性發(fā)展為背景，發(fā)光二極管(LED)被廣泛且普遍地使用。作為例子可舉出一般家庭用的照明以及汽車用的頭燈等。

從發(fā)光效率、制造效率以及制造成本等的觀點(diǎn)來(lái)看，當(dāng)前成為主流的LED的構(gòu)造為如下的構(gòu)造。在絕緣性透明基板(藍(lán)寶石(sapphire)基板等)上層疊n型以及p型的氮化鎵系列化合物半導(dǎo)體。然后，通過(guò)腐蝕(etching)p型層的一部分從而形成n型層以及p型層的表面具有高度差的狀態(tài)。在n型層以及p型層的表面上形成電極，并進(jìn)行倒裝片封裝。從LED射出的光透過(guò)絕緣性透明基板而照射。

對(duì)于LED而言，p極以及n極的導(dǎo)通狀態(tài)均勻?qū)τ跍p少功耗以及提高持久性都很重要。因此，在進(jìn)行倒裝片封裝的LED中，連接電極的形成技術(shù)是重要的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)1中公開了通過(guò)真空蒸鍍法和剝離，在具有高度差的LED芯片上形成電極的技術(shù)。在專利文獻(xiàn)2中公開了利用無(wú)電解質(zhì)電鍍?cè)诰哂懈叨炔畹墓獍雽?dǎo)體元件上形成電極的技術(shù)。

[專利文獻(xiàn)1]日本公開特許公報(bào)“特開平9-232632號(hào)公報(bào)(1997年9月5日公開)”

[專利文獻(xiàn)2]日本公開特許公報(bào)“特開2004-103975號(hào)公報(bào)(2004年4月2日公開)”

[專利文獻(xiàn)3]日本公開特許公報(bào)“特開平10-64953號(hào)公報(bào)(1998年3月6日公開)”

但是，由于專利文獻(xiàn)1和2都形成膜厚度相同的電極，因此無(wú)法消除LED以及光半導(dǎo)體元件具有的高度差。因而，采用以下方法：形成膜厚度較厚的電極從而在倒裝片封裝時(shí)擠壓電極，或者，利用相對(duì)于上述高度差更大的錫球來(lái)吸收高度差等。在這些方法中，雖然能夠吸收上述高度差而進(jìn)行倒裝片封裝，但無(wú)法讓導(dǎo)通狀態(tài)均勻。

另一方面，在專利文獻(xiàn)3中公開了利用在進(jìn)行電鍍時(shí)所形成的電鍍層的厚度與開口直徑之間存在相關(guān)關(guān)系的情況的技術(shù)。在表面高度不同的半導(dǎo)體基板中，通過(guò)改變支柱(pillar)形成部的開口直徑，從而形成高度不同的支柱。由此，抵消半導(dǎo)體基板表面上的高度差而進(jìn)行倒裝片封裝。但是，在該技術(shù)中，雖然能夠吸收半導(dǎo)體基板表面上的高度差，但是為了吸收半導(dǎo)體基板表面上的高度差，導(dǎo)致導(dǎo)電性支柱(連接電極)受到制約。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于上述課題而完成，其目的在于提供一種具有適合倒裝片封裝的相互之間沒有高度差的第1連接電極以及第2連接電極的光半導(dǎo)體元件。此外，本發(fā)明的其他目的在于提供一種光半導(dǎo)體元件的制造方法，其能夠在各個(gè)連接電極的尺寸不受制約的前提下形成適合倒裝片封裝的相互之間沒有高度差的第1連接電極以及第2連接電極。

本發(fā)明的一個(gè)方式的光半導(dǎo)體元件，為了解決上述課題，其特征在于，包括：

第1半導(dǎo)體層，由第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成；

第2半導(dǎo)體層，由第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成，并且在上述第1半導(dǎo)體層的上面的一部分上形成；

第1電極，在上述第1半導(dǎo)體層的上面中的另一部分上形成；

第2電極，在上述第2半導(dǎo)體層的上面形成，并且具有位于比上述第1電極的上面還要高的位置的上面；

第1連接電極，在上述第1電極的上面形成；

第2連接電極，在上述第2電極的上面形成；以及

保護(hù)膜，是覆蓋上述第1半導(dǎo)體層的表面和上述第2半導(dǎo)體層的表面的絕緣性的保護(hù)膜，并且具有使上述第1半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的開口部。

本發(fā)明的一個(gè)方式的光半導(dǎo)體元件的制造方法，為了解決上述課題，其特征在于，包括：

在光半導(dǎo)體基板的上面的整體面上形成導(dǎo)電性的電流薄膜的工序，其中，該光半導(dǎo)體基板包括：基板；第1半導(dǎo)體層，在該基板的上面形成，并且由第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成；第2半導(dǎo)體層，由第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成，并且在上述第1半導(dǎo)體層的上面的一部分上形成；第1電極，在上述第1半導(dǎo)體層的上面中的另一部分上形成；第2電極，在上述第2半導(dǎo)體層的上面形成，并且具有位于比上述第1電極的上面還要高的位置的上面；保護(hù)膜，是覆蓋上述第1半導(dǎo)體層的表面和上述第2半導(dǎo)體層的表面的絕緣性的保護(hù)膜，并且具有使上述第1半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的開口部；以及

在形成了上述電流薄膜之后，通過(guò)對(duì)上述光半導(dǎo)體基板進(jìn)行電鍍，從而在上述第1電極的上面形成第1連接電極，并且在上述第2電極的上面形成第2連接電極的工序。