[發(fā)明專利]光半導(dǎo)體元件以及光半導(dǎo)體元件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210088419.8
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN102856458A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 澤井敬一;吾鄉(xiāng)富士夫;渡邊裕二;川上克二
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 呂曉章

1.一種光半導(dǎo)體元件，其特征在于，包括：

第1半導(dǎo)體層，由第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成；

第2半導(dǎo)體層，由第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成，并且在上述第1半導(dǎo)體層的上面的一部分上形成；

第1電極，在上述第1半導(dǎo)體層的上面中的另一部分上形成；

第2電極，在上述第2半導(dǎo)體層的上面形成，并且具有位于比上述第1電極的上面還要高的位置的上面；

第1連接電極，在上述第1電極的上面形成；

第2連接電極，在上述第2電極的上面形成；以及

保護(hù)膜，是覆蓋上述第1半導(dǎo)體層的表面和上述第2半導(dǎo)體層的表面的絕緣性的保護(hù)膜，并且具有使上述第1半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的開口部。

2.如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件，其特征在于，

上述開口部的表面積是能夠通過電鍍來形成互相沒有高度差的上述第1連接電極以及第2連接電極的表面積。

3.如權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體元件，其特征在于，

在上述第1半導(dǎo)體層中與上述開口部對應(yīng)的位置上形成了溝。

4.如權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體元件，其特征在于，

上述溝的表面積是能夠通過電鍍來形成互相沒有高度差的上述第1連接電極以及第2連接電極的表面積。

5.一種光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，包括：

在光半導(dǎo)體基板的上面的整體面上形成導(dǎo)電性的電流薄膜的工序，其中，該光半導(dǎo)體基板包括：基板；第1半導(dǎo)體層，在該基板的上面形成，并且由第1導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成；第2半導(dǎo)體層，由第2導(dǎo)電型的半導(dǎo)體組成，并且在上述第1半導(dǎo)體層的上面的一部分上形成；第1電極，在上述第1半導(dǎo)體層的上面中的另一部分上形成；第2電極，在上述第2半導(dǎo)體層的上面形成，并且具有位于比上述第1電極的上面還要高的位置的上面；保護(hù)膜，是覆蓋上述第1半導(dǎo)體層的表面和上述第2半導(dǎo)體層的表面的絕緣性的保護(hù)膜，并且具有使上述第1半導(dǎo)體層的表面的一部分露出的開口部；以及

在形成了上述電流薄膜之后，通過對上述光半導(dǎo)體基板進(jìn)行電鍍，從而在上述第1電極的上面形成第1連接電極，并且在上述第2電極的上面形成第2連接電極的工序。

6.如權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

通過流過脈沖波形的電鍍電流，從而對光半導(dǎo)體元件進(jìn)行電鍍。

7.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

上述脈沖波形的周期在0.1～100秒的范圍內(nèi)。

8.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

上述脈沖波形的占空比為80％以上。

9.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

上述脈沖波形的每一周期的電流的停止時間為2秒以下。

10.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

上述電流薄膜的片狀電阻在10～1000mΩ/□的范圍內(nèi)。

11.如權(quán)利要求6所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

通過上述脈沖波形的電鍍電流所電鍍的表面中的該電鍍電流的電流密度是，滿足臨界電流密度的下限值到上限值的范圍的范圍。

12.如權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

根據(jù)在上述形成電流薄膜的工序中形成的上述電流薄膜的膜厚，決定在上述形成連接電極的工序中的上述第1電極和上述第2電極的電鍍率比。

13.如權(quán)利要求5所述的光半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，

在對上述光半導(dǎo)體元件進(jìn)行電鍍時，利用從金、銀、鉑、銅、鈀、鎳、焊料、以及它們的合金中任意選擇的金屬。