[發(fā)明專利]晶體管以及形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210088200.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103367430B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂火金;三重野文健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種晶體管，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)；

位于緊鄰所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)的應(yīng)力襯墊層；

所述應(yīng)力襯墊層與半導(dǎo)體襯底相接觸的表面具有種子層。

2.如權(quán)利要求1所述晶體管，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層為西格瑪形。

3.如權(quán)利要求1所述晶體管，其特征在于，所述種子層的材料為鍺，所述應(yīng)力襯墊層的材料為鍺錫。

4.如權(quán)利要求3所述晶體管，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層中，錫在鍺錫中的摩爾濃度為1％～10％。

5.如權(quán)利要求1所述晶體管，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層為外層和內(nèi)層重疊結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述晶體管，其特征在于，所述種子層的材料為鍺，所述應(yīng)力襯墊層的外層為鍺錫，內(nèi)層為錫。

7.如權(quán)利要求5所述晶體管，其特征在于，所述種子層的材料為硅鍺，所述應(yīng)力襯墊層的外層為鍺，內(nèi)層為鍺錫。

8.如權(quán)利要求1所述晶體管，其特征在于，所述種子層的厚度為1～20納米。

9.一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；

以所述柵極結(jié)構(gòu)為掩膜，在緊鄰所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成開(kāi)口；

在所述開(kāi)口的內(nèi)側(cè)表面形成種子層，在所述種子層表面形成應(yīng)力襯墊層，所述應(yīng)力襯墊層的表面與半導(dǎo)體襯底表面齊平。

10.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層為西格瑪形。

11.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述種子層的材料為鍺，所述應(yīng)力襯墊層的材料為鍺錫。

12.如權(quán)利要求11所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層中，錫在鍺錫中的摩爾濃度為1％～10％。

13.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層為外層和內(nèi)層重疊結(jié)構(gòu)。

14.如權(quán)利要求13所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述種子層的材料為鍺，所述應(yīng)力襯墊層的外層為鍺錫，內(nèi)層為錫。

15.如權(quán)利要求13所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述種子層的材料為硅鍺，所述應(yīng)力襯墊層的外層為鍺，內(nèi)層為鍺錫。

16.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層的形成方法為分子束外延工藝。

17.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述種子層的形成方法為低壓化學(xué)氣相沉積工藝。

18.如權(quán)利要求9所述晶體管的形成方法，其特征在于，所述種子層的厚度為1～20納米。

19.一種晶體管，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述半導(dǎo)體襯底表面的溝道層；

位于所述溝道層表面的柵極結(jié)構(gòu)；

位于緊鄰所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的溝道層內(nèi)的應(yīng)力襯墊層，所述應(yīng)力襯墊層與半導(dǎo)體襯底相接觸的表面具有種子層。

20.如權(quán)利要求19所述晶體管，其特征在于，所述溝道層的材料為摻雜錫的硅鍺。

21.如權(quán)利要求20所述晶體管，其特征在于，所述溝道層中，錫在摻雜錫的硅鍺中的摩爾濃度為1％～10％，鍺在摻雜錫的硅鍺中的摩爾濃度為10％～30％。

22.如權(quán)利要求19所述晶體管，其特征在于，所述溝道層的厚度為1～100納米。

23.如權(quán)利要求19所述晶體管，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層為西格瑪形。

24.如權(quán)利要求19所述晶體管，其特征在于，所述種子層的厚度為1～20納米。

25.如權(quán)利要求19所述晶體管，其特征在于，所述種子層的材料為鍺，所述應(yīng)力襯墊層的材料為鍺錫。

26.如權(quán)利要求25所述晶體管，其特征在于，所述應(yīng)力襯墊層中，錫在鍺錫中的摩爾濃度為1％～10％。