[發明專利]晶圓良率分析方法及系統

有效

• 申請號: 201210087749.5
• 申請日: 2012-03-28
• 公開（公告）號: CN103367188A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 陳亞威
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種晶圓良率分析方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一晶圓，所述晶圓上包括若干個芯片；

將各個芯片根據功能劃分為多個功能區域；

分別對所述各個芯片進行表面檢測，根據檢測到的缺陷在所述芯片中的所屬功能區域，得到一個或多個功能區域的缺陷信息；

分別對各個芯片進行良率測試，得到芯片良率信息；

將所述一個或多個功能區域的缺陷信息與所述芯片良率信息進行比較分析，得到按芯片一個或多個功能區域劃分的無污損的合格芯片，有污損的合格芯片，無污損的不合格芯片及有污損的不合格芯片的信息，并計算出芯片一個或多個功能區域的致命缺陷率；

通過芯片一個或多個功能區域的致命缺陷率得到芯片整體的致命缺陷率，并由所述芯片整體的致命缺陷率預測出晶圓良率。

2.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，所述計算出芯片一個或多個功能區域的致命缺陷率的公式為：

KR＝(1-DDY/CDY)*100％

其中，KR為一個功能區域的致命缺陷率；DDY為污損合格芯片比率，具體為有污損的合格芯片數與有污損的芯片數的之比；CDY為無污損合格芯片比率，具體為無污損的合格芯片數與無污損的芯片數的之比。

3.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，所述由所述芯片整體的致命缺陷率估計出晶圓良率的公式為：

WY＝[1-(KR′*DDP)]*100％

其中，WY為晶圓良率；KR’為芯片整體的致命缺陷率；DDP為缺陷芯片比率，為有缺陷芯片與總芯片數的之比。

4.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，所述功能區域包括存儲區域和邏輯器件區域。

5.根據權利要求4所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，所述芯片整體的致命缺陷率為存儲區域的致命缺陷率。

6.根據權利要求1所述的晶圓良率分析方法，其特征在于，所述分別對各個芯片進行良率測試的步驟，是進行CP測試。

7.一種晶圓良率分析系統，其特征在于，包括：

劃分模塊，用于將一晶圓上各個芯片根據功能劃分為多個功能區域；

表面檢測模塊，與劃分模塊相連接，用于分別對所述各個芯片進行表面檢測，根據檢測到的缺陷在所述芯片中的所屬功能區域，得到一個或多個功能區域的缺陷信息；

良率測試模塊，與表面檢測模塊相連接，用于分別對各個芯片進行良率測試，得到芯片良率信息；及

處理模塊，與良率測試模塊相連接，用于將所述一個或多個功能區域的缺陷信息與所述芯片良率信息進行比較分析，得到按芯片一個或多個功能區域劃分的無污損的合格芯片，有污損的合格芯片，無污損的不合格芯片及有污損的不合格芯片的信息，并計算出芯片一個或多個功能區域的致命缺陷率；通過芯片一個或多個功能區域的致命缺陷率得到芯片整體的致命缺陷率，并由所述芯片整體的致命缺陷率預測出晶圓良率。

8.根據權利要求7所述的晶圓良率分析系統，其特征在于，所述功能區域包括存儲區域和邏輯器件區域。

9.根據權利要求8所述的晶圓良率分析系統，其特征在于，所述芯片整體的致命缺陷率為存儲區域的致命缺陷率。