[發明專利]超薄基板的封裝方法有效
| 申請號: | 201210087730.0 | 申請日: | 2012-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN103187318A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發明(設計)人: | 古永延;施瑩哲 | 申請(專利權)人: | 巨擘科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/58 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 超薄 封裝 方法 | ||
1.一種超薄基板的封裝方法,包括:
提供一暫時性載板;
形成至少一層金屬層及至少一層介電層,用以制作所述超薄基板,所述超薄基板具有至少一個封裝單元,用以封裝至少一個芯片;
在所述超薄基板表面形成至少一個焊墊層;
將所述超薄基板與所述暫時性載板分離;
對所述超薄基板進行測試,用以汰選所述至少一個封裝單元中具有缺陷的封裝單元;
以所述封裝單元為單位,切割所述超薄基板,用以篩選出不具有缺陷的封裝單元;
以模封板的尺寸為單位,重組不具有缺陷的所述封裝單元后,分別以覆晶接合方式與所述芯片接合;以及
對所述模封板上已覆晶接合的所述芯片進行模封。
2.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在對所述超薄基板進行測試的步驟中,進一步包括以一夾持系統夾持所述超薄基板,同時至少露出所述超薄基板的上下表面的所述焊墊層的步驟,用于進行測試。
3.根據權利要求2所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在夾持所述超薄基板的步驟中,進一步包括控制所述超薄基板所受張力及所述超薄基板的接觸電阻為一預定值的步驟。
4.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:其中所述封裝單元是透過所述焊墊層,以覆晶接合方式與所述芯片接合的。
5.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:所述模封采用移轉模封。
6.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在進行所述模封的步驟后,還包括對所述封裝單元分別與復數個錫球接合形成球門陣列的步驟。
7.根據權利要求6所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在形成所述球門陣列的步驟后,還包括以所述封裝單元為單位,切割所述模封板的步驟。
8.根據權利要求7所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在切割所述模封板的步驟后,還包括分別對所述已模封的芯片進行測試的步驟。
9.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在進行所述模封的步驟前,還包括對所述封裝單元分別與一球門陣列封裝組件接合的步驟,該步驟在所述封裝單元以覆晶接合方式與所述芯片接合的同一表面上進行。
10.根據權利要求9所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在進行與所述球門陣列封裝組件接合的步驟前,進一步包括對所述封裝單元進行助焊劑或錫膏印刷的步驟。
11.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在分別以覆晶接合方式與所述芯片接合的步驟前,還包括對所述封裝單元分別與一球門陣列封裝組件接合的步驟。
12.根據權利要求11所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在與所述球門陣列封裝組件接合的步驟是在所述封裝單元,分別以覆晶接合方式與所述芯片接合的同一表面上進行。
13.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:在分別以覆晶接合方式與所述芯片接合的步驟中,同時還包括對所述封裝單元分別與一球門陣列封裝組件接合的步驟,所述球門陣列封裝組件是在所述封裝單元,分別以覆晶接合方式與所述芯片接合的同一表面上進行接合。
14.根據權利要求1所述的超薄基板的封裝方法,其特征在于:以模封板的尺寸為單位,重組不具有缺陷的所述封裝單元后,分別以覆晶接合方式與所述芯片接合的步驟中,所述覆晶接合方式是以金凸塊進行接合的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





