[發明專利]一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備及OLED導電層的制備方法

無效

• 申請號: 201210086981.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103361603A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 楊耀武;蘇曉燕;蘇怡
• 申請（專利權）人: 常熟卓輝光電科技有限公司
• 主分類號: C23C14/24
• 分類號: C23C14/24;C23C14/06;C23C14/54;H01L51/56
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技術領域

本發明涉及一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備和利用上述設備制備OLED導電層的方法。

背景技術

蒸發式真空鍍膜是通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第于1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜設備蒸發物質如金屬、化合物等置于坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。

待系統抽至高真空后，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定于蒸發源的蒸發速率和時間(或決定于裝料量)，并與源和基片的距離有關。對于大面積鍍膜，常采用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。

在上述的鍍膜過程中，鍍膜需要在真空過程中，在一次次的鍍膜過程中，需要多次抽真空，然后打開真空室，再次抽真空、鍍膜，打開真空室，如此反復，很不方便。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種鍍膜效率高的半導體薄膜材料的真空蒸發設備和利用上述設備制備OLED導電層的方法。

為了解決上述的技術問題，本發明的技術方案是：一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室和真空室內的蒸發器，所述蒸發器下方設置有主動軸和從動軸，所述主動軸帶動從動軸上的半導體薄膜材料基材通過蒸發器下的蒸發區，并對通過蒸發區的半導體薄膜材料基材進行卷取。

在所述主動軸和從動軸之間設置有冷卻輥，所述冷卻輥兩邊設置有托輥，從動軸上的半導體薄膜材料基材在托輥與冷卻輥之間穿過與主動軸連接。

在所述冷卻輥的上方設置有隔板，所述隔板將蒸發器的蒸發區隔離。

利用上述半導體薄膜材料的真空蒸發設備制備OLED導電層的方法，其包括以下步驟：

(1)將OLED基材卷在從動軸上，OLED基材穿過托輥與冷卻輥之間，然后連接在主動軸上；

(2)對真空室進行抽真空，保持真空度30-50Pa；

(3)開啟蒸發器，蒸發器表面溫度升高到960-1050℃，保持5-10分鐘；

(4)啟動電機帶動主動軸，保持OLED基材的勻速行走，行走速度為0.16-1mm/s；

(5)主動軸在帶動OLED基材行走的同時，對OLED基材進行卷取；

(6)在對從動軸上的OLED基材蒸發完畢時，關閉蒸發器及主動軸電機，經過10-15分鐘后，開啟真空室，取出已形成有導電層的OLED基材。

本發明在鍍膜過程中，通過蒸發區的基材只需要卷在主動軸上便可，不需要反復的打開真空室來拿出基材，提高鍍膜的效率。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

附圖為本發明半導體薄膜材料的真空蒸發設備的結構示意圖。

具體實施方式

如附圖所示，一種半導體薄膜材料的真空蒸發設備，包括真空室1和真空室1內的蒸發器7，所述蒸發器7下方設置有主動軸2和從動軸3，所述主動軸2帶動從動軸3上的半導體薄膜材料基材8通過蒸發器7下的蒸發區，并對通過蒸發區的半導體薄膜材料基材8進行卷取。

在所述主動軸2和從動軸3之間設置有冷卻輥4，所述冷卻輥4兩邊設置有托輥5，從動軸3上的半導體薄膜材料基材8在托輥5與冷卻輥4之間穿過與主動軸2連接。

為了防止污染，在所述冷卻輥4的上方設置有隔板6，所述隔板6將蒸發器7的蒸發區隔離。

在鍍膜過程中，通過蒸發區的基材只需要卷在主動軸2上便可，不需要反復的打開真空室來拿出基材，提高鍍膜的效率。

利用上述半導體薄膜材料的真空蒸發設備制備OLED導電層的方法，其包括以下步驟：

(1)將OLED基材卷在從動軸3上，OLED基材穿過托輥5與冷卻輥4之間，然后連接在主動軸2上；

(2)對真空室1進行抽真空，保持真空度30-50Pa；

(3)開啟蒸發器7，蒸發器表面溫度升高到960-1050℃，保持5-10分鐘；

(4)啟動電機，帶動主動軸2，保持OLED基材的勻速行走，行走速度為0.16-1mm/s；

(5)主動軸2在帶動OLED基材行走的同時，對OLED基材進行卷取；

(6)在對從動軸3上的OLED基材蒸發完畢時，關閉蒸發器7電源及主動軸2電機，經過10-15分鐘后，開啟真空室1，取出已形成有導電層的OLED基材。

上述實施例不以任何方式限制本發明，凡是采用等同替換或等效變換的方式獲得的技術方案均落在本發明的保護范圍內。