[發(fā)明專(zhuān)利]GaN襯底、半導(dǎo)體器件及其制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210086294.5
• 申請(qǐng)日: 2012-03-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102637723A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張正海;張宗民;曹伯承
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L21/20;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種氮化鎵GaN襯底，其特征在于，包括：

GaN基底；

AlGaN層，位于所述GaN基底上；

p型導(dǎo)電層，位于所述AlGaN層的有源區(qū)上，用于耗盡所述AlGaN層上的表面態(tài)負(fù)電子并中和所述AlGaN層上的懸掛鍵。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底，其特征在于，所述GaN基底包括：

底層，所述底層為SiC、藍(lán)寶石或Si；

GaN層，位于所述底層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN襯底，其特征在于，所述p型導(dǎo)電層為p型GaN層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的GaN襯底，其特征在于，所述p型GaN層為摻Be的GaN層、摻Zn的GaN層或摻Mg的GaN層。

5.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的氮化鎵GaN襯底，以及在所述GaN襯底上形成的半導(dǎo)體構(gòu)成。

6.一種氮化鎵GaN襯底的制作方法，其特征在于，包括：

在GaN基底上形成AlGaN層；

在所述AlGaN層的有源區(qū)上形成p型導(dǎo)電層，所述p型導(dǎo)電層用于耗盡所述AlGaN層上的表面態(tài)負(fù)電子并中和所述AlGaN層上的懸掛鍵。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的GaN襯底的制作方法，其特征在于，所述在GaN基底上形成AlGaN層之前還包括形成GaN基底，所述形成GaN基底包括：

提供底層，所述底層為SiC、藍(lán)寶石或Si；

在所述底層上形成GaN層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的GaN襯底的制作方法，其特征在于，在所述AlGaN層的有源區(qū)上形成p型導(dǎo)電層包括：

在所述AlGaN層的有源區(qū)上形成p型GaN層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的GaN襯底的制作方法，其特征在于，所述p型GaN層為摻Be的GaN層、摻Zn的GaN層或摻Mg的GaN層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的GaN襯底的制作方法，其特征在于，在所述AlGaN層的有源區(qū)上形成摻Mg的GaN層包括：

以NH₃、TMGa、Cp₂Mg的混合氣體為源氣體，H₂為載氣，反應(yīng)壓力為2～3Pa，生長(zhǎng)溫度為900～1100℃，在AlGaN上生長(zhǎng)摻Mg的GaN層；

在700～800℃的N2氣氛下對(duì)所述摻Mg的GaN層進(jìn)行退火處理，退火時(shí)間為20～30分鐘，形成最終的摻Mg的GaN層。

11.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求6～10中任一項(xiàng)所述的氮化鎵GaN襯底的制作方法形成GaN襯底；

在所述GaN襯底上形成半導(dǎo)體構(gòu)成。