[發(fā)明專利]制備聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210086186.8 | 申請(qǐng)日: | 2012-03-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102675520A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張志成;朱智剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C08F214/22 | 分類號(hào): | C08F214/22;C08F214/24;C08F8/04 |
| 代理公司: | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
| 地址: | 710048*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 乙烯 氯乙烯 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種含氟聚合物的氫化還原反應(yīng)新方法,特別涉及一種由聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)P(VDF-CTFE)還原制備聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)P(VDF-TrFE)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)P(VDF-CTFE-TrFE)的方法。?
背景技術(shù)
聚偏氟乙烯(PVDF)及其與三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))因具有非常優(yōu)異的介電、鐵電、壓電等性能,自從PVDF的壓電性能在上世紀(jì)六十年代被報(bào)道以來(lái),PVDF及其共聚物被廣泛用于電氣絕緣、微電子器件、傳感器等領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)此類材料在儲(chǔ)能電容器中的應(yīng)用,1998年,美國(guó)賓州州立大學(xué)的QM?Zhang教授采用電子輻射法(Science.1998,280,2101-2104.),在P(VDF-TrFE)晶體結(jié)構(gòu)中引入缺陷,不僅大大提高了該聚合物的常溫介電常數(shù),而且有效改善了其D-E曲線,使之在常溫下轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂婓w,在提高其室溫下的儲(chǔ)能密度的同時(shí)降低能量損耗。2002年,賓州州立大學(xué)的T.C.Mike?Chung教授采用在P(VDF-TrFE)共聚物中引入第三單體(如CTFE、二氟氯乙烯(CDFE))的辦法,在基本不降低聚合物結(jié)晶度的前提下適當(dāng)減小晶體的尺寸,并將P(VDF-TrFE)的長(zhǎng)序列TTTT構(gòu)型轉(zhuǎn)變?yōu)門(mén)TTG結(jié)構(gòu),結(jié)果發(fā)現(xiàn)新的三聚物的常溫介電常數(shù)可以高達(dá)100(Macromolecules?2002,35,7678-7684.)。申請(qǐng)人曾參與的最新研究表明,三聚物的儲(chǔ)能密度在500MV/m的電場(chǎng)下可以高達(dá)12J/cm3(Macromolecules.2007,40,783-85;Macromolecules.2007,40,9391-97;US?Pat,No.541781;US?Pat,No.0081195A1),使得這類?聚合物成為新型高密度電容器的寵兒。?
通常含有TrFE單元的聚合物是通過(guò)直接將幾種單體如VDF、TrFE、CTFE等按照一定比例進(jìn)行自由基共聚的方法制得,但是由于單體的競(jìng)聚率的差異導(dǎo)致聚合物組成前后不均一;同時(shí),由于TrFE單體制備和運(yùn)輸成本較高,使得這種方法制得的聚合物成本居高不下,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于PVDF。因此,2006年,T.C.Mike?Chung等報(bào)道了采用氫化P(VDF-CTFE)的辦法制備三聚物,用三丁基錫化氫在偶氮二異丁腈的催化下將CTFE中的Cl原子轉(zhuǎn)化為H原子,從而制備TrFE單元(Macromolecules.2006,39,4268-71;Macromolecules,2006,39,6962;J.Am.Chem.Soc.2006,128,8120)。這種方法制備三聚物具有組成易控、方法簡(jiǎn)單、成本低等優(yōu)點(diǎn),雖然得到聚合物的性能因?yàn)閱误w引入方式不同而與直接三聚物有所差異,但是其較高的性價(jià)比使得其仍然擁有非常好的應(yīng)用前景(Polymer,2009,50,707-715)。然而,該方法中采用了三丁基錫化氫這種毒性較大的試劑,其產(chǎn)物三丁基氯化錫也有劇毒,而且為了除去聚合物中微量的錫化物殘留,只能采用毒性較大的氟化鉀與之反應(yīng),這些有毒試劑無(wú)論對(duì)操作人員還是環(huán)境都有很大危害,因而亟待改進(jìn)。近年來(lái)我們課題組還發(fā)現(xiàn)采用過(guò)渡金屬Cu的低價(jià)鹽與相應(yīng)的含氮配體進(jìn)行絡(luò)合后在適當(dāng)條件下可以在P(VDF-CTFE)的溶液中產(chǎn)生大分子自由基,利用該大分子自由基向溶劑的鏈轉(zhuǎn)移反應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)含有TrFE單體的共聚物的制備(Chem.Commun.,2011,47,4544-4546;中國(guó)發(fā)明專利,申請(qǐng)?zhí)枺?00910024186.3)。與之前的氫化體系相比,該體系無(wú)論在可控性還是在環(huán)境友好性方面都有了很大改善,但是,銅鹽在聚合物中較難去除,同時(shí),含氮配體的使用也容易導(dǎo)致氟聚合物的消去降解。?
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有氫化還原技術(shù)的缺陷,本發(fā)明的目的在于提供一種由聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)還原制備聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)的方法,具有方法操作簡(jiǎn)單易控,采用的反應(yīng)體系具有成本低、對(duì)人體和環(huán)境友好的優(yōu)點(diǎn),且還原劑易從聚合物中清除干凈。?
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:?
一種由聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯)還原制備聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)或聚(偏氟乙烯-三氟氯乙烯-三氟乙烯)的方法,包括以下步驟:?
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué),未經(jīng)西安交通大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210086186.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫(xiě)分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





