[發明專利]存儲器抑制電壓穩壓電路

在審

• 申請號: 201210085790.9
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102623061A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 胡劍;楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34;G11C16/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術領域

本發明涉及存儲器電路，特別涉及一種具有上拉和下拉功能的存儲器抑制電壓穩壓電路。

背景技術

存儲器(Memory)是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。

存儲器的主要功能是存儲程序和各種數據，并能在計算機運行過程中高速、自動地完成程序或數據的存取。存儲器是具有“記憶”功能的設備，它采用具有兩種穩定狀態的物理器件來存儲信息。這些器件也稱為記憶元件。在計算機中采用只有兩個數碼“0”和“1”的二進制來表示數據。記憶元件的兩種穩定狀態分別表示為“0”和“1”。日常使用的十進制數必須轉換成等值的二進制數才能存入存儲器中。計算機中處理的各種字符，例如英文字母、運算符號等，也要轉換成二進制代碼才能存儲和操作。

存儲器按存取方式可以分為隨機存儲器、串行訪問存儲器和只讀存儲器。

(1)隨機存儲器(Random?Access?Memory，RAM)：如果存儲器中任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間與存儲單元的物理位置無關，則這種存儲器稱為隨機存儲器(RAM)。隨機存儲器主要用來存放各種輸入/輸出的程序、數據、中間運算結果以及存放與外界交換的信息和做堆棧用。隨機存儲器主要充當高速緩沖存儲器和主存儲器。

(2)串行訪問存儲器(Serial?Attached?SCSI，SAS)：如果存儲器只能按某種順序來存取，也就是說，存取時間與存儲單元的物理位置有關，則這種存儲器稱為串行訪問存儲器。串行存儲器又可分為順序存取存儲器(Sequential?Access?Memory，SAM)和直接存取存儲器(Direct?Access?Memory?DAM)。順序存取存儲器是完全的串行訪問存儲器，如磁帶，信息以順序的方式從存儲介質的始端開始寫入(或讀出)；直接存取存儲器是部分串行訪問存儲器，如磁盤存儲器，它介于順序存取和隨機存取之間。

(3)只讀存儲器(Read-Only?Memory，ROM)：只讀存儲器是一種對其內容只能讀不能寫入的存儲器，即預先一次寫入的存儲器。通常用來存放固定不變的信息。如經常用作微程序控制存儲器。目前已有可重寫的只讀存儲器。常見的有掩模只讀存儲器(Mask?Read-Only?Memory，MROM)，可擦除可編程只讀存儲器(Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，EPROM)，電可擦除可編程只讀存儲器(Electrically?Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，EEPROM)ROM的電路比隨機存儲器的簡單、集成度高，成本低，且是一種非易失性存儲器，計算機常把一些管理、監控程序、成熟的用戶程序放在只讀存儲器中。

現有的存儲器通常是由行列排布的一個一個的存儲單元構成的，每個存儲單元連接有相應的字線和位線，在對存儲器的一個目標存儲單元進行編程時，字線控制相應的選擇晶體管打開，從相應的位線輸入編程電壓，完成對目標存儲單元的編程，在編程時，相鄰存儲單元的位線一般是浮空的，相鄰存儲單元的存儲狀態易受到目標存儲單元編程電壓的干擾，為了消除這種編程干擾，其中一種方法是在相鄰存儲單元的位線上施加1V左右的抑制電壓以消除這種干擾?，F有的1V抑制電壓通過電壓源和分壓電路提供，由于多個相鄰存儲單元的位線的分流，現有的電壓源和分壓電路難以提供足夠的驅動電流，編程干擾的消除效果有限。

更多關于存儲器的介紹請參考公開號為CN1855307A的中國專利。

發明內容

本發明解決的問題是提供一種具有上拉和下拉功能的存儲器抑制電壓穩壓電路。

為解決上述問題，本發明實施例提供了一種存儲器抑制電壓穩壓電路，包括：

第一運算放大器，第一運算放大器的同相輸入端與第一基準電壓源相連，所述第一基準電壓源用于提供第一基準電壓，當同相輸入端電壓大于反相輸入端電壓時，第一運算放大器的輸出端輸出高電平；

第二運算放大器，第二運算放大器的反相輸入端與第二基準電壓源相連，所述第二基準電壓源用于提供第二基準電壓，且第二基準電壓大于第一基準電壓，當同相輸入端電壓大于反相輸入端電壓時，第二運算放大器的輸出端輸出高電平；

第一NMOS晶體管，第一NMOS晶體管的柵極與第一運算放大器的輸出端相連，第一NMOS晶體管的漏極與工作電源相連；