[發明專利]電荷泵及電荷泵系統

有效

• 申請號: 201210085235.6
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102624222B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 楊光軍;胡劍;吳常謙
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種電荷泵，其特征在于，包括升壓電路、控制電路和電壓傳輸電路；

所述升壓電路，用于根據第一控制信號將第一輸入電壓升壓；

所述電壓傳輸電路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管的源極連接所述升壓電路，柵極連接所述控制電路，漏極作為所述電荷泵的第一輸出端；所述控制電路用于控制所述第一NMOS管的導通或斷開；所述第一NMOS管在導通時將升壓后的第一輸入電壓輸出；

其中，所述第一NMOS管包括P型襯底，在所述P型襯底中包括N型阱區，在所述N型阱區中包括P型阱區，在所述P型阱區中包括N型摻雜的源極區和漏極區；所述第一NMOS管的P型襯底、N型阱區分別與源極區相連。

2.如權利要求1所述的電荷泵，其特征在于，所述升壓電路包括第一電容和反相器，所述第一電容的一端連接所述第一NMOS管的源極，另一端連接所述反相器的輸出端，所述反相器的輸入端接收第一控制信號。

3.如權利要求2所述的電荷泵，其特征在于，所述控制電路包括第二電容，所述第二電容的一端連接所述第一NMOS管的柵極，另一端接收第二控制信號；所述第二控制信號與第一控制信號的相位相反，并且所述第二控制信號的幅值大于所述第一控制信號的幅值。

4.如權利要求1所述的電荷泵，其特征在于，所述電荷泵還包括第二NMOS管，所述第二NMOS管的源極連接所述第一NMOS管的源極，柵極連接所述第一NMOS管的柵極，漏極作為所述電荷泵的第二輸出端。

5.如權利要求4所述的電荷泵，其特征在于，所述第二NMOS管包括P型襯底，在所述P型襯底中包括N型阱區，在所述N型阱區中包括P型阱區，在所述P型阱區中包括N型摻雜的源極區和漏極區；所述第二NMOS管的襯底與源極區相連。

6.如權利要求1所述的電荷泵，其特征在于，所述電荷泵還包括第三NMOS管；所述第三NMOS管的源極連接第一NMOS管的源極，柵極連接所述第一NMOS管的漏極，漏極連接所述第一NMOS管的柵極并接收第二輸入電壓。

7.如權利要求6所述的電荷泵，其特征在于，所述第三NMOS管包括P型襯底，在所述P型襯底中包括N型阱區，在所述N型阱區中包括P型阱區，在所述P型阱區中包括N型摻雜的源極區和漏極區；所述第三NMOS管的襯底與源極區相連。

8.一種電荷泵系統，其特征在于，包括多個如權利要求1至7任一項所述的電荷泵，其中，上階電荷泵的輸出端對應連接下階電荷泵的輸入端。