[發明專利]接合線固定方法無效
| 申請號: | 201210084608.8 | 申請日: | 2012-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN103367172A | 公開(公告)日: | 2013-10-23 |
| 發明(設計)人: | 陳逸男;徐文吉;葉紹文;劉獻文 | 申請(專利權)人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 固定 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種封裝方法,特別是涉及一種固定封裝結構中的接合線(bonding?wire)的方法,使其可免除模流沖擊影響。
背景技術
為了要在有限的面積中達到更高的存儲容量,動態隨機存取存儲器(Dynamic?Random?Access?Memory,DRAM)架構開始朝向立體的堆棧式封裝技術(3D?stacked?package)發展,此封裝技術的原理在于將多個互連的存取芯片(die)堆棧在一單一的封裝載體上,如此將可在同樣的面積范圍內達到數倍的儲存容量。
在封裝結構中,芯片的輸出入端(I/O)須與外部的封裝體電性互連,其多是透過打線接合(wire?bonding)方式將芯片上的接合墊(pad)與封裝載板上的接合指(finger)電性連接。在打線接合后,封裝結構中尚須進行一模封工藝以填入模封材料,使得內部的芯片與外部隔絕。
對于此等封裝技術來說,隨著現今DRAM結構的容量不斷往上提升,其單位封裝面積中所會布設的接合墊與接合指也會相對提升,進而造成連接其間的接合線數目的增加。此外,采用立體堆棧式封裝技術的封裝結構由于芯片呈堆疊之故,其接合墊與接合指之間的距離通常較大,也使得其間所連的接合線長度增加。上述接合線在密度與長度上的增加將會使接合線容易受到模封工藝的影響,特別是在填入模封材料的時候,若模封材料的模流路徑與接合線走向不一致,則接合線會容易受到模流沖擊而脫落或是彼此碰觸,此沖線問題將造成線路的斷路和短路失效。
對于上述沖線問題,業界一般利用計算機輔助設計(Computer?Aided?Design,CAD)來進行模流分析,藉以優化流道及模套(mold?chase)的設計,使模流對接合線的影響降到最低。也有部分作法是在進行打線接合之前先在芯片的適當位置處涂布紫外光固化膠(UV膠)并使之轉態黏稠,之后進行打線工藝時所形成的接合線將為UV膠所固定,而不會受到模流的影響。
有別于上述的背景技術,本發明提供了一種新穎的接合線固定方法,其透過改變既有封裝結構的設計以及對應的工序來達成接合線的固定效果。
發明內容
本發明的主要目的在提供一種新穎的接合線固定方法,其透過自然的毛細現象將流動性膠材均勻的分布在接合線周遭,使得接合線能被固化后的膠材所固定、支撐,進而避免后續工序中模流沖擊所易造成的沖線問題。
根據本發明的優選實施例,本發明提供了一種固定接合線的方法,其步驟包含將一具有多個接合墊的芯片設在一具有多個接合指的載板上、將每一所述接合墊打線接合至一所述接合指,使得所形成的接合線呈平行排列、在每一所述接合墊上滴上流動性膠材,使得所述流動性膠材因毛細現象而沿著兩鄰近的接合線往其所接合的接合指方向擴散、以及,進行一烘烤工藝使得所述流動性膠材變為黏稠狀態。
本發明透過載板的接合指設計,使得打線接合工藝所產生的接合線得以平行排列且具有較小的間距,進而形成毛細管路的環境。如此,再藉由使用流動性極佳的膠材,使膠材得以自然均勻地沿著接合線分布,而于模封工藝中達成固定接合線的效果。
附圖說明
圖1至圖4為依據本發明優選實施例所繪示的接合線固定工序的頂視圖。
圖5為依據本發明另一優選實施例所繪示的接合線固定態樣的頂視圖。
圖6為依據本發明優選實施例所繪示的經過接合線固定工序后的封裝結構的橫斷面視圖。
其中,附圖標記說明如下:
100????封裝載板????120????接合線
102????接合指??????130????流動性膠材
110/110a/110b????芯片????????140????模封材料
112??????????????接合墊??????150????焊錫凸塊
具體實施方式
下文中將以圖示來說明本發明的優選實施例,其中,圖1至圖4依序繪示出依據本發明優選實施例的接合線固定工序的頂視圖。首先,請參照圖1,提供一欲進行封裝的芯片110。芯片110可為一單一芯片,或是由多個芯片層疊而成的立體堆疊式芯片組合,特別是小外形雙列內存模組(Small?Outline?Dual?In-line?Memory?Module,SO-DIMM)、低電流負荷雙列內存模組(Load?Reduced?Dual?In-line?Memory?Module,LR-DIMM)等高速、高容量的內存模塊所用的芯片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





