[發明專利]發光二極管裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201210084562.X | 申請日: | 2012-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN102709451A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 佐藤慧;伊藤久貴;大藪恭也;新堀悠紀 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/60 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種發光二極管裝置及其制造方法,詳細地說,涉及一種發光二極管裝置的制造方法及通過該發光二極管裝置的制造方法得到的發光二極管裝置。
背景技術
近年來,作為能夠發出高能量光的發光裝置,已知一種白色發光裝置。白色發光裝置例如設置有:基底基板;LED(發光二極管),其層疊在基底基板上,發出藍色光;熒光體層,其能夠將藍色光變換為黃色光,用于覆蓋LED;以及密封層,其用于密封LED。這種白色發光裝置通過藍色光與黃色光的混色而發出高能量的白色光,其中,上述藍色光從LED發出并透過密封層和熒光體層,該LED被密封層密封,從基底基板向該LED提供電力,上述黃色光是在熒光體層中將藍色光的一部分進行波長變換而得到的。
作為制造這種白色發光裝置的方法,例如提出了以下方法(例如,參照日本特開2005-191420號公報)。
即,首先形成基體,該基體由基板部以及從該基板部的周部向上側突出的白色的反射框部構成,接著,將半導體發光元件以與反射框部的內側隔著間隔的方式與在基板部的中央由反射框部形成的凹部的底部進行引線接合。
接著,提出了以下方法:在凹部中通過涂敷來填充熒光體與液狀的環氧樹脂的混合物,接著,使熒光體自然沉降至凹部的底部,之后,使環氧樹脂加熱固化。
在通過由日本特開2005-191420號公報提出的方法得到的白色發光裝置中,通過沉降形成的包含高濃度熒光體的熒光體層(波長變換層)被劃分到半導體發光元件的上側的區域,包含高濃度的環氧樹脂的密封部被劃分到熒光體層的上側的區域。
并且,在該白色發光裝置中,半導體發光元件以放射狀發出藍色光,其中,從半導體發光元件向上方發出的藍色光的一部分被熒光體層變換為黃色光,并且剩余部分通過熒光體層。另外,從半導體發光元件向側方發出的藍色光在反射框部進行反射,接著,向上側照射。并且,日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置通過這些藍色光與黃色光的混色而發出白色光。
發明內容
但是,日本特開2005-191420號公報的熒光體層是根據熒光體在混合物中自然沉降而產生的濃度差來劃分的區域,因此厚度容易變得不均勻。在這種情況下,存在如下問題:熒光體層中的波長變換的效率變得不均勻,白色發光裝置發出不均的白色光。
另外,由于利用上述自然沉降來形成熒光體層,因此需要長時間,并且,還需要嚴格地管理上述時間,因此制造工序變得煩雜。其結果,存在制造成本上升這種問題。
并且,與反射框部隔著間隔來配置半導體發光元件,因此從半導體發光元件向側方發出的光的一部分在反射框部進行反射之前,被密封部吸收,因此,存在光的取出效率降低這種問題。
并且,在日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置中,在半導體發光元件上依次形成有熒光體層和密封部,因此半導體發光元件發光時發出的熱例如即使在包含高濃度的熒光體的熒光體層進行導熱,之后,也容易被包含高濃度環氧樹脂的密封部蓄熱。因此,半導體發光元件發光時的散熱變得不充分,其結果,存在半導體發光元件的發光效率降低這種問題。
并且,在日本特開2005-191420號公報的白色發光裝置中,半導體發光元件通過引線接合與基板部相連接,因此,存在由于引線的影子而亮度降低這種問題。
本發明的目的在于,提供一種能夠抑制制造成本上升并且防止光半導體層的發光效率降低,同時能夠發出均勻的白色光而且能夠提高光的取出效率的發光二極管裝置的制造方法以及通過該制造方法得到的發光二極管裝置。
本發明的發光二極管裝置的制造方法是具備設置有端子的基底基板以及倒裝安裝在上述基底基板上的發光二極管元件的發光二極管裝置的制造方法,該制造方法的特征在于,具備以下工序:準備上述基底基板;使光半導體層與上述基底基板在厚度方向上相向配置,在上述光半導體層的上述厚度方向上的一側設置有電極部,將上述電極部與上述端子進行電連接,從而將上述光半導體層倒裝安裝到上述基底基板;以覆蓋上述光半導體層和上述電極部的方式,在上述基底基板的上述厚度方向上的另一側形成含有光反射成分的密封樹脂層;將上述密封樹脂層的上述厚度方向上的另一側的部分去除,使上述光半導體層的上述厚度方向上的另一側的表面暴露;以及以與上述光半導體層的上述厚度方向上的另一側的上述表面相接觸的方式,形成呈片狀的熒光體層,來形成具備上述熒光體層、上述光半導體層以及上述電極部的上述發光二極管元件。
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