[發明專利]發光二極管裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210084562.X
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102709451A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 佐藤慧;伊藤久貴;大藪恭也;新堀悠紀
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種發光二極管裝置的制造方法，該發光二極管裝置具備設置有端子的基底基板以及在上述基底基板上倒裝安裝的發光二極管元件，該制造方法的特征在于，具備以下工序：

準備上述基底基板；

使光半導體層與上述基底基板在厚度方向上相向配置，在上述光半導體層的上述厚度方向上的一側設置有電極部，將上述電極部與上述端子進行電連接，從而將上述光半導體層倒裝安裝到上述基底基板；

以覆蓋上述光半導體層和上述電極部的方式，在上述基底基板的上述厚度方向上的另一側形成含有光反射成分的密封樹脂層；

將上述密封樹脂層的上述厚度方向上的另一側的部分去除，使上述光半導體層的上述厚度方向上的另一側的表面暴露；以及

以與上述光半導體層的上述厚度方向上的另一側的上述表面相接觸的方式，形成呈片狀的熒光體層，來形成具備上述熒光體層、上述光半導體層以及上述電極部的上述發光二極管元件。

2.根據權利要求1所述的發光二極管裝置的制造方法，其特征在于，

在將上述密封樹脂層的上述厚度方向上的另一側的部分去除的工序中，將上述光半導體層的上述厚度方向上的另一側的部分去除。

3.一種發光二極管裝置，其特征在于，具備：

基底基板；以及

發光二極管元件，其被倒裝安裝到上述基底基板上，

其中，上述發光二極管元件具備：

形成為片狀的熒光體層；

光半導體層，其形成于上述熒光體層的厚度方向上的一側的表面；

電極部，其與上述光半導體層相連接地形成于上述光半導體層的厚度方向上的一側的表面；以及

密封樹脂層，其以覆蓋上述光半導體層和上述電極部而暴露上述電極部的上述厚度方向上的一側的表面的方式，形成于上述熒光體層的上述厚度方向上的一側，該密封樹脂層含有光反射成分。