[發明專利]酸法后制絨無死層發射極的制備工藝

有效

• 申請號: 201210083892.7
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN102623558A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 程亮;張黎明;劉鵬;姜言森;賈河順;任現坤;姚增輝;張春艷
• 申請（專利權）人: 山東力諾太陽能電力股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司 37205
• 代理人: 宋玉霞

1.一種酸法后制絨無死層發射極的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將硅片放入擴散爐，進行擴散制備低方阻為0—20ohm/sq的發射極；

（2）表面酸制絨同時去除高摻雜死層發射極區：將硅片放入HNO₃和HF溶液中，浸泡1—30min，完成表面制絨，同時得到方阻為50—150ohm/sq的無死層發射極;

（3）清洗：將硅片放入濃度為1—5%KOH溶液中，清洗0.5—5分鐘，然后再放入濃度為5—15%的HCl和濃度為2%—10%的HF酸混合溶液中清洗0.5—5分鐘。

2.?根據權利要求1所述的一種堿法后制絨無死層發射極的制備工藝，其特征在于，所述的步驟（2）中，所述的HNO₃和HF溶液的溫度為5—15℃，其中HNO₃的濃度為20—500g/L，HF的濃度為5—200g/L。

3.?根據權利要求1所述的一種堿法后制絨無死層發射極的制備工藝，其特征在于，所述的硅片為多晶硅或類單晶硅。