[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210083464.4
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN103208495A
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳鐵將;黃慶玲
• 申請（專利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/8242
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;邢雪紅

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

一半導(dǎo)體基底，具有一第一開口及與其相鄰的一第二開口；

一第一介電層，設(shè)置于該第一開口的下半部；

一電荷捕獲介電層，設(shè)置于該第一開口的上半部，以覆蓋該第一介電層；

具有一既定導(dǎo)電類型的一摻雜區(qū)，形成于鄰近該第一開口及該第二開口的該半導(dǎo)體基底內(nèi)，其中具有該既定導(dǎo)電類型的該摻雜區(qū)的極性不同于該電荷捕獲介電層內(nèi)捕獲電荷的極性；以及

一柵極電極，設(shè)置于該第二開口的下半部內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該電荷捕獲介電層的一下表面邊緣低于該柵極電極的一上表面邊緣。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該電荷捕獲介電層包括氮化硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于該第一介電層包括氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

一第二介電層，設(shè)置于該第二開口的一上半部內(nèi)，以覆蓋該柵極電極；以及

一柵極介電層，夾設(shè)于該柵極電極與具有該既定導(dǎo)電類型的該摻雜區(qū)之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括一絕緣襯層，夾設(shè)于該第一開口的該下半部與該第一介電層之間，且夾設(shè)于該第一開口的該上半部與該電荷捕獲介電層之間。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體基底，其內(nèi)具有一第一開口；

在該第一開口的下半部內(nèi)形成一第一介電層；

在該第一開口的上半部內(nèi)形成一電荷捕獲介電層，以覆蓋該第一介電層；

在該半導(dǎo)體基底內(nèi)形成與該第一開口相鄰的一第二開口；

在該第二開口的下半部內(nèi)形成一柵極電極；以及

在鄰近該第一開口及該第二開口的該半導(dǎo)體基底內(nèi)形成具有一既定導(dǎo)電類型的一摻雜區(qū)，其中具有該既定導(dǎo)電類型的該摻雜區(qū)的極性不同于該電荷捕獲介電層內(nèi)捕獲電荷的極性。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于該電荷捕獲介電層的一下表面邊緣低于該柵極電極的一上表面邊緣。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于該電荷捕獲介電層包括氮化硅。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于該第一介電層包括氧化硅。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括：

在該第二開口的一上半部內(nèi)形成一第二介電層，以覆蓋該柵極電極；以及

在該柵極電極與具有該既定導(dǎo)電類型的該摻雜區(qū)之間形成一柵極介電層。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，還包括在該第一開口的該下半部與該第一介電層之間以及該第一開口的該上半部與該電荷捕獲介電層之間形成一絕緣襯層。