[發明專利]圖像傳感器的封裝方法有效
| 申請號: | 201210083356.7 | 申請日: | 2012-03-27 |
| 公開(公告)號: | CN102623471A | 公開(公告)日: | 2012-08-01 |
| 發明(設計)人: | 鄧輝;霍介光;趙立新 | 申請(專利權)人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體技術領域,更具體地,本發明涉及一種圖像傳感器的封裝方法。
背景技術
隨著半導體技術的發展,圖像傳感器已廣泛應用于各種需要進行數字成像的領域,例如數碼照相機、數碼攝像機等電子產品中。根據光電轉換方式的不同,圖像傳感器通常可以分為兩類:電荷耦合器件(Charge?Coupled?Device,CCD)圖像傳感器和互補金屬氧化物半導體(CMOS)圖像傳感器。其中,CMOS圖像傳感器具有體積小、功耗低、生產成本低等優點,因此,CMOS圖像傳感器易于集成在例如手機、筆記本電腦、平板電腦等便攜電子設備中,作為提供數字成像功能的攝像模組使用。
攝像模組通常由圖像傳感器芯片與鏡頭構成。其中,圖像傳感器芯片需要通過封裝工藝來將其中的焊盤引出。在完成封裝之后,圖像傳感器芯片再與鏡頭組裝到一起以構成完整的攝像模組。然而,在現有技術的圖像傳感器芯片的封裝過程中,通常需要在圖像傳感器芯片的感光面上通過例如環氧樹脂等封裝粘合劑來粘結一層玻璃,以保護圖像傳感器芯片的感光面。然而,感光面上覆蓋的玻璃會吸收入射到圖像傳感器芯片上的光線,從而導致圖像傳感器的入射光強降低,進而降低圖像傳感器的靈敏度,特別是弱光條件下的靈敏度。
發明內容
因此,需要提供一種提高圖像傳感器的靈敏度的圖像傳感器的封裝方法。
為了解決上述問題,根據本發明的一個方面,提供了一種圖像傳感器的封裝方法,包括:
a.提供通過粘度可變的粘合劑粘接的可透光基板與輔助基板,其中所述輔助基板中具有貫穿的通孔;
b.將圖像傳感器晶圓粘接到所述輔助基板上,其中所述圖像傳感器的感光區域位于所述通孔中;
c.將圖像傳感器的焊盤連接到所述圖像傳感器晶圓背面的焊接材料;
d.切割所述圖像傳感器晶圓、所述輔助基板以及所述可透光基板以獲得分離的圖像傳感器芯片;
e.改變所述粘度可變的粘合劑的粘度以將所述可透光基板與所述輔助基板分離。
不同于現有技術,在采用上述方面的封裝方法制作的圖像傳感器芯片中,由于圖像傳感器芯片的感光面上不需要覆蓋光學玻璃,這就減少了光線在進入感光面的過程中的損失,并且也改善了由于散射而導致感光圖像變差的問題。此外,由于粘度可變的粘合劑未直接形成在圖像傳感器的感光面上,因而在分離可透光基板時,粘度可變的粘合劑不會因粘度變小而溢出到圖像傳感器的感光區域,這降低了封裝工藝的控制難度,從而提高了封裝良率。另外,由于在該封裝過程中可以選擇不使用光學玻璃而采用其他成本較低的材料作為可透光基板與輔助基板,這也有效降低了圖像傳感器芯片的封裝成本。
在一個實施例中,所述步驟a進一步包括:采用所述粘度可變的粘合劑粘接所述可透光基板與所述輔助基板;部分刻蝕所述輔助基板,以在所述輔助基板中形成所述通孔。
在一個實施例中,所述部分刻蝕所述輔助基板的步驟進一步包括:采用激光刻蝕、干法刻蝕或濕法刻蝕方式來刻蝕所述輔助基板。
在一個實施例中,所述步驟a進一步包括:形成具有貫穿的通孔的輔助基板;采用所述粘度可變的粘合劑粘接所述可透光基板與所述輔助基板。
在一個實施例中,所述形成所述通孔的步驟進一步包括:采用刻蝕方式或注塑成型方式來在所述輔助基板中形成所述通孔。
在一個實施例中,在所述步驟b之后,還包括步驟:從所述圖像傳感器晶圓的背面對所述圖像傳感器晶圓進行減薄。
在一個實施例中,在所述步驟c中,通過側面引線或通孔將所述圖像傳感器的焊盤連接到所述圖像傳感器晶圓背面的焊接材料。
在一個實施例中,所述粘度可變的粘合劑為熱熔膠或紫外光敏膠。
在一個實施例中,所述粘度可變的粘合劑為熱熔膠,在所述步驟e中通過加熱所述圖像傳感器芯片來改變所述粘度可變的粘合劑的粘度。
在一個實施例中,所述粘度可變的粘合劑為紫外光敏膠,在所述步驟e中通過紫外光照射所述圖像傳感器芯片來改變所述粘度可變的粘合劑的粘度。
在一個實施例中,所述可透光基板是玻璃。
在一個實施例中,所述輔助基板是玻璃、陶瓷或聚合物材料。
本發明的以上特性及其他特性將在下文中的實施例部分進行明確地闡述。
附圖說明
通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述,能夠更容易地理解本發明的特征、目的和優點。其中,相同或相似的附圖標記代表相同或相似的裝置。
圖1示出了根據本發明一個實施例的圖像傳感器的封裝方法100;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





