[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210083156.1
• 申請日: 2012-03-27
• 公開（公告）號: CN103367363A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 殷華湘;馬小龍;徐秋霞;陳大鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件，包括：

第一MOSFET；

第二MOSFET；

第一應力襯層，覆蓋了第一MOSFET，具有第一應力；

第二應力襯層，覆蓋了第二MOSFET，具有第二應力；

其中，第二應力襯層和/或第一應力襯層包括金屬氧化物。

2.如權利要求1的半導體器件，其中，第一MOSFET與第二MOSFET類型不同，第一應力與第二應力不同。

3.如權利要求1的半導體器件，其中，金屬氧化物包括高k材料、難熔金屬氧化物、非晶態氧化物半導體及其組合。

4.如權利要求3的半導體器件，其中，高k材料，包括選自HfO₂、HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、HfLaSiO_x的鉿基材料，或是包括選自ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、Y₂O₃的稀土基高K介質材料，或是包括Al₂O₃，以其上述材料的復合層。

5.如權利要求3的半導體器件，其中，難熔金屬氧化物，包括但不限于NiO_x、WO_x、鐵基氧化物及其組合。

6.如權利要求3的半導體器件，其中，非晶態氧化物半導體包括摻In的ZnO基半導體、或其它二元或多元非晶態氧化物半導體，摻In的ZnO基半導體包括InGaZnO、InZnO、HfInZnO、TaInZnO、ZrInZnO、YInZnO、AlInZnO、SnInZnO及其組合，其它二元或多元非晶態氧化物半導體包括In₂O₃、ZTO、ITO、ZnO、SnO_x及其組合。

7.如權利要求1的半導體器件，其中，第一應力襯層和/或第二應力襯層下方包括緩沖層，或者第一應力襯層和/或第二應力襯層上方包括覆蓋層。

8.如權利要求7的半導體器件，其中，緩沖層和/或覆蓋層包括氧化硅、氮化硅及其組合。

9.一種半導體器件制造方法，包括以下步驟：

形成第一MOSFET和第二MOSFET；

選擇性地在第二MOSFET上形成第二應力襯層，具有第二應力；

選擇性地在第一MOSFET上形成第一應力襯層，具有第一應力；

完成后續工藝；

其中，第二應力襯層和/或第一應力襯層包括金屬氧化物。

10.如權利要求9的半導體器件制造方法，其中，第一MOSFET與第二MOSFET類型不同，第一應力與第二應力不同。

11.如權利要求9的半導體器件制造方法，其中，金屬氧化物包括高k材料、難熔金屬氧化物、非晶態氧化物半導體及其組合。

12.如權利要求11的半導體器件制造方法，其中，高k材料，包括選自HfO₂、HfSiO_x、HfSiON、HfAlO_x、HfTaO_x、HfLaO_x、HfAlSiO_x、HfLaSiO_x的鉿基材料，或是包括選自ZrO₂、La₂O₃、LaAlO₃、TiO₂、Y₂O₃的稀土基高K介質材料，或是包括Al₂O₃，以其上述材料的復合層。

13.如權利要求11的半導體器件制造方法，其中，難熔金屬氧化物，包括但不限于NiO_x、WO_x、鐵基氧化物及其組合。