[發(fā)明專利]一種用于去除太陽能電池花籃印的清洗工藝方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210082917.1 | 申請日: | 2012-03-26 |
| 公開(公告)號: | CN102637579A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 孫良欣;張應可;陳壁滔 | 申請(專利權)人: | 北京吉陽技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市商泰律師事務所 11255 | 代理人: | 毛燕生 |
| 地址: | 100012 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 去除 太陽能電池 花籃 清洗 工藝 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種用于去除太陽能電池花籃印的清洗工藝方法,屬于太陽能晶硅電池片制造技術領域。
背景技術
傳統(tǒng)的二次清洗工藝方法在清洗氧化層之后需要脫水處理,目前主流的方法有甩干和經過純水槽的慢提拉處理后烘干兩種方法。機械甩干能有效的去除硅片表面的水滴,但碎片率高;而慢提拉處理能大大降低碎片率及硅片的機械損傷被廣泛關注。大規(guī)模生產中,采用慢提拉處理的硅片表面容易附著一層水溶氧后與花籃接觸形成的再次氧化的花籃印,鍍膜后會產生明顯的暗白色花籃狀印記,對成品的外觀影響很大。
大規(guī)模生產中,采用慢提拉處理的硅片表面容易附著一層水溶氧后與花籃接觸形成的再次氧化的花籃印,鍍膜后會產生明顯的暗白色花籃狀印記,對成品的外觀影響很大。
傳統(tǒng)的二次清洗工藝方法在清洗氧化層之后需要脫水處理,目前主流的方法有甩干和經過純水槽的慢提拉處理后烘干兩種方法。機械甩干能有效的去除硅片表面的水滴,但碎片率高;而慢提拉處理能大大降低碎片率及硅片的機械損傷被廣泛關注。大規(guī)模生產中,采用慢提拉處理的硅片表面容易附著一層水溶氧后與花籃接觸形成的再次氧化的花籃印,鍍膜后會產生明顯的暗白色花籃狀印記,對成品的外觀影響很大。本發(fā)明屬于太陽能晶硅電池片制造領域,具體涉及一種能夠在去磷硅設備清洗單晶硅片和多晶硅片過程中去除花籃印(俗稱齒痕印)的清洗工藝方法。
現有技術的缺點:大規(guī)模生產中,采用慢提拉處理的硅片表面容易附著一層水溶氧后與花籃接觸形成的再次氧化的花籃印,鍍膜后會產生明顯的暗白色花籃狀印記,對成品的外觀影響很大。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于去除太陽能電池花籃印的清洗工藝方法。本發(fā)明屬于太陽能晶硅電池片制造領域,具體為能夠在去磷硅設備清洗單晶硅片和多晶硅片過程中去除花籃印(俗稱齒痕印)。
一種用于去除太陽能電池花籃印的清洗工藝方法,包括以下步驟:
對硅片表面氧化層循環(huán)酸處理;
采用快排方式清洗;
烘干過程保證硅片在花籃中位置不發(fā)生變動;
承載硅片的小花籃在放入大花籃后能與水平面成一定的夾角。
本發(fā)明涉及一種用于去除太陽能電池花籃印的清洗工藝方法,包括以下步驟:
(1)一號槽(酸槽):與常規(guī)酸處理工藝不同,此步驟需要增加循環(huán)裝置,達到均勻反應的目的;但循環(huán)不宜過大,否則易碎片。
(2)二號槽(快排槽):通過設備改進,當機械臂將處于槽內的大花籃掛臂上提時,隨即馬上進行自動快排。此項操作目的是通過純水的張力及吸附力,有效地將從一號槽帶出的HF在二號槽得到及時處理。
(3)大花籃通過去磷硅設備下料后,在取小花籃放入烘干箱的過程須注意:小花籃必須以U口在上的方式取出,不得將硅片的擴散面倒向花籃鋸齒上;以小花籃在大花籃放置的方式放入烘干箱,且必須將小花籃U口方向搭在箱內鐵架較高處,使小花籃與水平面形成一定的角度,保證硅片在烘干時擴散面不與花籃齒相接觸。
(4)關于大花籃的改進:設計新的花籃模具務必使承載硅片的小花籃在放入大花籃后能與水平面成一定的夾角。
本發(fā)明步驟(1)中所述的酸處理循環(huán)工藝時間為150-300秒,適當的控制工藝時間對碎片比例有影響。
本發(fā)明步驟(2)中所述的快排工藝周期為1-2欄/次。
本發(fā)明步驟(3)中所述的烘干過程需嚴格控制取出小花籃的操作動作,務必保證小花籃從槽體中取出后轉移到烘箱過程中硅片在小花籃中的位置無變動,并使小花籃與水平面形成一個20°-30°的角度以保證硅片在烘干時擴散面不與花籃齒相接觸。
本發(fā)明步驟(4)中所述的大花籃改造:
I、為使承載硅片的小花籃1在放入大花籃2后能與水平面成12°-15°的夾角,需要在大花籃下面四條圓柱體的中點位置都加上一塊類似“凸”型的模具3,在大花籃“凸”型模具3的正下方增加一塊與之相同長寬的長方體,高與圓柱體到水平面的距離一致,
II、由于要求墊高的角度在12°-15°之間,故改進后的大花籃須保證三項原則:
①小花籃裝入墊高大花籃后,上沿須緊靠大花籃的側面,裝螺帽處不得有偏差;
②小花籃裝入墊高大花籃后,下沿不得懸空,須保證平穩(wěn)地放在圓柱體上;
③大花籃經過修改后,所有的材質必須為防腐蝕、抗酸、耐磨損的材料。
與傳統(tǒng)二次清洗工藝方法相比,本發(fā)明可有效的去除二次清洗過程中產生的花籃印,并保證對后續(xù)工藝及最終電池片性能無影響。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京吉陽技術股份有限公司,未經北京吉陽技術股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210082917.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





