[發明專利]提高共源運算放大器頻率特性的MOS器件制造方法

無效

• 申請號: 201210081228.9
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102610527A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 俞柳江
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/3105;H01L21/311
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種提高共源運算放大器頻率特性的MOS器件制造方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成柵極結構，所述襯底包括源極結構和漏極結構；

以所述柵極結構為掩膜，在柵極結構兩側的襯底內進行輕摻雜，形成源極延伸區和漏極延伸區；

在所述襯底上形成側墻沉積層；

采用中性離子對所述側墻沉積層進行離子注入，所述離子注入方向與垂直于所述襯底方向成一夾角且向源極方向傾斜；

對所述側墻沉積層進行刻蝕，以在所述源極區域上方形成源極側墻，在所述漏極區域上方形成漏極側墻，所述源極側墻的截面寬度小于所述漏極側墻的截面寬度；

進行源漏重摻雜以及退火工藝，形成源極重摻雜區和漏極重摻雜區，所述漏極重摻雜區和源極重摻雜區為非對稱結構，所述源極重摻雜區比漏極重摻雜區更靠近溝道。

2.如權利要求1所述的提高共源運算放大器頻率特性的MOS器件制造方法，其特征在于，所述離子注入方向夾角為5度-45度。

3.如權利要求1所述的提高共源極運算放大器頻率特性的MOS器件制造方法，其特征在于，所述中性離子為鍺離子或氙離子。