[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210080159.X | 申請日: | 2012-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN102694109A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 別府 卓;乃一 拓也 | 申請(專利權)人: | 日亞化學工業(yè)株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/50 | 分類號: | H01L33/50;H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 沈錦華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發(fā)光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種包含發(fā)光元件和磷光體層的發(fā)光裝置,和用于制造所述發(fā)光裝置的方法。
背景技術
一般來說,使用例如發(fā)光二極管(LED)等發(fā)光元件的發(fā)光裝置具有電子零件,例如發(fā)光元件和保護元件、上面定位有所述元件的襯底和用于保護發(fā)光元件、保護元件和類似物的透明樹脂。
已知一種技術,其中為了使得發(fā)光裝置發(fā)射白光,在襯底上提供凹入部分,在凹入部分中定位用于發(fā)射藍光的發(fā)光元件,且提供包含磷光體的透明樹脂以使得磷光體覆蓋凹入部分中的發(fā)光元件。在發(fā)光裝置中,從發(fā)光元件輸出的藍光的一部分的波長由磷光體轉換,且由波長轉換引起的黃光與來自發(fā)光元件的藍光混合,從而發(fā)射白光。然而,以此方式,難以獲得均勻的白光,因為根據(jù)來自發(fā)光元件的藍光的光徑的長度差異,由磷光體吸收的藍光的量存在差異。由于凹入部分中的透明樹脂中包含的磷光體經(jīng)激勵而發(fā)光,因此發(fā)光區(qū)域變得較大。
另一方面,JP-A-2003-69086揭示了通過使用所謂的電沉積方法形成在發(fā)光元件上具有均勻厚度的磷光體層的方法。因此,可減少藍光的光徑的長度差異。在通過電沉積方法而具備形成于其上的磷光體層的發(fā)光裝置中,發(fā)光裝置可具有接近于點光源的光分布特性的光分布特性,因為磷光體層可非常靠近發(fā)光元件而形成。點光源具有的優(yōu)點是使得能夠容易設計點光源安裝到的應用產(chǎn)品,因為點光源具有小的發(fā)光區(qū)域。因此,預期其用途在各種領域中的擴展,包含照明設備領域。
在電沉積方法中,通過在含有磷光體微粒沉積物的浴液中施加電場,磷光體微粒沉積在發(fā)光元件的表面上。然而,根據(jù)電沉積方法,在發(fā)光元件周圍暴露的導電布線圖案也被磷光體微粒覆蓋。因此,從提供于發(fā)光元件的表面上的磷光體層發(fā)射的光可能由提供于發(fā)光元件周圍的布線圖案上的磷光體層吸收。此外,來自提供于布線圖案上的磷光體層的發(fā)光可引起不均勻的發(fā)光。
JP-A-2003-69086提出在布線圖案上形成光致抗蝕劑,以便防止磷光體微粒附著到布線圖案上。然而,所述提議需要用于形成和移除光致抗蝕劑的額外步驟。此外,在JP-A-2003-69086中,從發(fā)光元件發(fā)射的光由發(fā)光元件周圍的布線圖案吸收,這降低了光提取效率。
在許多情況下,借助于冶金凸塊和類似物將發(fā)光元件接合到襯底。在接合過程中,在發(fā)光元件與襯底之間產(chǎn)生小空間。難以用磷光體微粒完全填充發(fā)光元件與襯底之間的空間,且因此磷光體微粒的密度趨于比其它區(qū)域的密度低。因此,來自發(fā)光元件的光可能從其泄漏。
發(fā)明內容
因此,本發(fā)明的目的是提供一種具有令人滿意的光提取效率且實現(xiàn)均勻發(fā)光的發(fā)光裝置,和用于制造所述發(fā)光裝置的方法。
根據(jù)本發(fā)明,一種發(fā)光裝置包含:襯底,其具有導電部分;發(fā)光元件,其在其下表面?zhèn)壬暇哂幸粋€或一個以上電極,所述電極位于所述襯底的所述導電部分上;磷光體層,其用于覆蓋所述發(fā)光元件的表面和所述導電部分的在所述發(fā)光元件旁邊的外圍表面區(qū)域;以及反射層,其用于覆蓋所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區(qū)域上的一部分。
所述反射層可位于低于所述發(fā)光元件的上表面處。
所述反射層優(yōu)選可覆蓋所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區(qū)域上的所述部分的外端。
所述導電部分可具有圍繞所述發(fā)光元件的開口,所述襯底在所述開口處暴露;所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區(qū)域上的所述部分可通過所述開口與所述磷光體層的形成于所述發(fā)光元件的所述表面上的另一部分分離;且所述反射層可在所述開口處覆蓋所述襯底的暴露區(qū)域。
所述發(fā)光元件進一步可包含發(fā)冷光層,且所述反射層可位于低于所述發(fā)冷光層處。
根據(jù)本發(fā)明,一種用于制造發(fā)光裝置的方法包含:將發(fā)光元件的一個或一個以上電極連接到襯底的導電部分;形成磷光體層以覆蓋所述襯底上的至少所述發(fā)光元件;以及在所述磷光體層的在所述發(fā)光元件周圍的一部分上形成反射層。
可通過在所述發(fā)光元件的表面和所述導電部分的在所述發(fā)光元件旁邊的外圍表面區(qū)域上形成所述磷光體層來進行所述磷光體層的所述形成;且可通過在所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區(qū)域上的一部分上形成所述反射層來進行所述反射層的所述形成。
可通過電沉積方法或靜電涂覆方法形成所述磷光體層。
可通過電沉積方法或靜電涂覆方法形成所述反射層。
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