[發明專利]發光裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210080159.X
• 申請日: 2012-03-23
• 公開（公告）號: CN102694109A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 別府 卓;乃一 拓也
• 申請（專利權）人: 日亞化學工業株式會社
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/60;H01L33/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種發光裝置，其包括：

襯底，其具有導電部分；

發光元件，所述發光元件在其下表面側上具有一個或一個以上電極，所述電極定位于所述襯底的所述導電部分上；

磷光體層，其安置在所述發光元件的表面上和所述導電部分的在所述發光元件旁邊的外圍表面區域上；以及

反射層，其覆蓋所述磷光體層的安置于所述導電部分的所述外圍表面區域上的一部分。

2.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述反射層定位于低于所述發光元件的上表面處。

3.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述反射層覆蓋所述磷光體層的安置于所述導電部分的所述外圍表面區域上的所述部分的外側。

4.根據權利要求1所述的發光裝置，其中：

所述導電部分具有圍繞所述發光元件的至少一部分的開口，所述襯底在所述開口處暴露，

所述磷光體層的安置于所述導電部分的所述外圍表面區域上的所述部分通過所述開口與所述磷光體層的安置于所述發光元件的所述表面上的部分分離，且

所述反射層在所述開口處覆蓋所述襯底的暴露區域。

5.根據權利要求1所述的發光裝置，其中：

所述發光元件進一步包括發冷光層，且

所述反射層定位于低于所述發冷光層處。

6.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述反射層的上表面定位在高于所述發光元件的半導體層的下表面處。

7.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述反射層的上表面定位在高于所述發光元件的半導體層的上表面處。

8.根據權利要求1所述的發光裝置，其中所述反射層覆蓋所述磷光體層的安置于所述導電部分的所述外圍表面區域上的所述部分的全部。

9.一種用于制造發光裝置的方法，所述方法包括：

將發光元件的一個或一個以上電極連接到襯底的導電部分；

在所述襯底上的至少所述發光元件上形成磷光體層；以及

在所述磷光體層的在所述發光元件的外圍周圍的一部分上形成反射層。

10.根據權利要求9所述的用于制造發光裝置的方法，其中：

在所述發光元件的表面上和所述導電部分的在所述發光元件旁邊的外圍表面區域上形成所述磷光體層，且

在所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區域上的一部分上形成所述反射層。

11.根據權利要求9所述的用于制造發光裝置的方法，其中通過電沉積方法或靜電涂覆方法形成所述磷光體層。

12.根據權利要求9所述的用于制造發光裝置的方法，其中通過電沉積方法或靜電涂覆方法形成所述反射層。

13.根據權利要求12所述的用于制造發光裝置的方法，其進一步包括：

在形成所述磷光體層之前在所述發光元件的所述表面上形成具有導電性的覆蓋層，所述磷光體層形成于所述覆蓋層的表面上和所述導電部分的在所述發光元件旁邊的外圍表面區域上；以及

在形成所述磷光體層之后再形成所述覆蓋層以便具有絕緣性質，所述反射層形成于所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區域上的一部分上。

14.根據權利要求9所述的方法，其中將所述反射層定位在低于所述發光元件的上表面處。

15.根據權利要求9所述的方法，其中形成所述反射層以便覆蓋所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區域上的所述部分的外側。

16.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述導電部分具有圍繞所述發光元件的至少一部分的開口，所述襯底在所述開口處暴露，

所述磷光體層的形成于所述導電部分的所述外圍表面區域上的所述部分通過所述開口與所述磷光體層的形成于所述發光元件的所述表面上的部分分離，且形成所述反射層以便在所述開口處覆蓋所述襯底的暴露區域。

17.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述發光元件進一步包括發冷光層，且

將所述反射層定位于低于所述發冷光層處。

18.根據權利要求9所述的方法，其中將所述反射層的上表面定位在高于所述發光元件的半導體層的下表面處。