[發明專利]處理輔助裝置及方法、半導體的制造輔助裝置及方法

有效

• 申請號: 201210078347.9
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102737141B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 光成治喜
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 李偉,閻文君

技術領域

本發明涉及處理輔助裝置及方法、半導體的制造輔助裝置及方法、以及程序，特別是涉及利用規定的設備對被處理對象物實施規定的處理的生產線中的處理輔助裝置以及方法、半導體的制造輔助裝置以及方法、以及程序。

背景技術

用于對構成一批的多枚半導體晶片實施規定的處理(批處理)的設備的種類被分成兩種。一種是對1批所含的全部半導體晶片集中同時互進行處理的批處理式，另一種是對1批所含的半導體晶片逐片地進行處理的逐片處理式。

然而，與設備的種類無關，批處理所需的處理時間可以通過計測例如對設備輸入了表示開始批處理的開始信號起到對設備輸入了表示批處理結束的結束信號為止的時間來加以把握。通過使用如此地計測出的時間，就可以管理批處理所需要的時間或在批處理前后所進行的處理的時間表等。

例如，在專利文獻1中公開了一種目的在于提高半導體生產線的生產性的技術。該技術的特征在于，以過去的處理時間為基礎，來預測某個工序的處理結束時間，按照滿足該結束時間的方式來開始之前工序的處理。然而，在專利文獻1中，由于沒有具體地記載如何以過去的處理時間為基礎來預測工序處理的結束時間，因此實際中確定之前工序的處理開始時刻存在困難。

在專利文獻2中公開了一種目的在于預測批處理的結束時間的技術。該技術的特征在于，根據裝置的構造/動作來定義各個動作中每個動作的處理時間，經過復雜的計算來預測批處理的時間。

專利文獻1：日本特開平6－291006號公報

專利文獻2：日本特開2001－209421號公報

然而，專利文獻2所記載的技術雖然可以預測批處理的結束時間，但是為了預測批處理的時間需要進行非常復雜的計算。因此，存在著如下的問題：在利用專利文獻2所記載的技術來按預定時間執行用于批處理的輔助的情況下，必須進行復雜的計算。

此外，不僅是執行半導體所涉及的處理的情況，例如在對半導體以外的被處理對象物實施某種處理的情況下，利用專利文獻2所記載的技術也存在著同樣的問題。

本發明是為了解決上述問題點而完成的，其目的在于可以提供一種容易并且高精度地輔助利用規定設備按預定時間對被處理對象物實施規定處理的處理輔助裝置以及方法、半導體的制造輔助裝置以及方法、以及程序。

發明內容

為了實現上述目的，技術方案1所記載的處理輔助裝置，包含：存儲單元，其存儲有第一二維坐標信息和第二二維坐標信息，其中，該第一二維坐標信息以二維坐標點表示利用規定設備來實施規定處理的被處理對象物的成為處理對象的單位個數X和對該單位個數X的該被處理對象物的該處理所需要的處理時間Y，該第二二維坐標信息按照所述處理的每個種類以二維坐標點來表示所述單位個數X和所述處理時間Y，截距導出單元，其導出通過下述區域內的各坐標點和下述基準坐標點的各直線的截距中滿足第二規定條件的截距，來作為以所述單位個數X為自變量、以所述處理時間Y為因變量、以相對于所述設備固有的b為截距以及將a設為斜率的下述(1)式所示的回歸式的所述截距b，該區域是由通過在所述存儲單元中存儲的所述第一二維坐標信息表示的坐標點中滿足第一規定條件的基準坐標點并且與表示所述單位個數X的X軸平行的直線、表示所述處理時間Y的Y軸、通過所述基準坐標點以及原點的直線而圍成的區域；斜率導出單元，其導出下述各直線的斜率中滿足第三規定條件的直線的斜率作為所述斜率a，其中，該各直線通過由所述存儲單元所存儲的所述第二二維坐標信息所示的坐標點中具有規定個數以上的所述單位個數X的全部的各個坐標點和由所述截距導出單元導出的截距b；以及輔助單元，其使用代入了由所述截距導出單元導出的截距b以及由所述斜率導出單元導出的斜率a后的所述(1)式來輔助所述處理。

Y＝aX+b·····(1)

技術方案2所述的半導體的制造輔助裝置，包含：技術方案1所述的處理輔助裝置；預測單元，其以半導體作為所述被處理對象物，使用所述輔助單元來預測所述處理的結束時刻。