[發明專利]處理輔助裝置及方法、半導體的制造輔助裝置及方法有效
| 申請號: | 201210078347.9 | 申請日: | 2012-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN102737141B | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 光成治喜 | 申請(專利權)人: | 拉碧斯半導體株式會社 |
| 主分類號: | G06F17/50 | 分類號: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 李偉,閻文君 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 輔助 裝置 方法 半導體 制造 | ||
1.一種處理輔助裝置,其包含:
存儲單元,其存儲有第一二維坐標信息和第二二維坐標信息,其中,該第一二維坐標信息以二維坐標點表示利用規定設備來實施規定處理的被處理對象物的成為處理對象的單位個數X和對該單位個數X的該被處理對象物的該處理所需要的處理時間Y,該第二二維坐標信息按照每個設備名稱信息并且按照每個配方信息以二維坐標點來表示所述單位個數X和所述處理時間Y,
截距導出單元,其導出通過下述區域內的各坐標點和下述基準坐標點的各直線的截距中滿足第二規定條件的截距,來作為以所述單位個數X為自變量、以所述處理時間Y為因變量、以所述設備固有的b為截距以及以a為斜率的下述(1)式所示的回歸式的所述截距b,該區域是由通過在所述存儲單元中存儲的所述第一二維坐標信息所表示的坐標點中滿足第一規定條件的基準坐標點并且與表示所述單位個數X的X軸平行的直線、表示所述處理時間Y的Y軸、通過所述基準坐標點以及原點的直線而圍成的區域;
斜率導出單元,其導出下述各直線的斜率中滿足第三規定條件的直線的斜率作為所述斜率a,其中,該各直線通過由所述存儲單元所存儲的所述第二二維坐標信息所示的坐標點中具有規定個數以上的所述單位個數X的全部坐標點的各個坐標點和由所述截距導出單元導出的截距b;以及
輔助單元,其使用代入了由所述截距導出單元導出的截距b以及由所述斜率導出單元導出的斜率a后的所述(1)式來輔助所述處理,
Y=aX+b·····(1),
所述第一規定條件采用如下條件:所述單位個數X為最大值的坐標點,并且所述處理時間Y屬于第一時間段,
所述第一時間段采用相對于由所述第一二維坐標信息表示的所述單位個數X為最大值的坐標點總數的比例為,從該單位個數X為最大值的坐標點的所述處理時間Y中最小的處理時間Y起的5%以上35%以下的處理時間Y。
2.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
所述比例為10%以上20%以下。
3.根據權利要求1或者2所述的處理輔助裝置,其特征在于,
所述第二規定條件采用如下的條件:自作為是否滿足該第二規定條件的判斷對象的所述截距中的最小截距起的、相對于成為該判斷對象的截距總數的比例為5%以上35%以下。
4.根據權利要求3所述的處理輔助裝置,其特征在于,
相對于成為是否滿足所述第二規定條件的判斷對象的截距總數的比例為10%以上20%以下。
5.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
所述規定個數為從由所述第二二維坐標信息表示的坐標點中所述單位個數X的大值起的、具有上位50%的值的坐標點的個數。
6.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
在由所述第二二維坐標信息表示的坐標點的總數在1000以上的情況下,所述規定個數采用從由所述第二二維坐標信息表示的坐標點中的所述單位個數X的大值起的、具有上位10%的值的坐標點的個數,
在由所述第二二維坐標信息表示的坐標點的總數比10大而不足1000的情況下,所述規定個數采用從由所述第二二維坐標信息表示的坐標點中所述單位個數X的大值起的、具有上位50%的值的坐標點的個數,
在由所述第二二維坐標信息表示的坐標點的總數在10以下的情況下,所述規定個數采用該總數。
7.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
所述第三規定條件采用如下條件:相對于成為是否滿足該第三規定條件的判斷對象的斜率的總數的比例為從成為該判斷對象的所述斜率中最小的斜率起的10%以上40%以下。
8.根據權利要求7所述的處理輔助裝置,其特征在于,
相對于成為是否滿足所述第三規定條件的判斷對象的斜率的總數的比例為10%以上20%以下。
9.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
所述輔助單元對代入了由所述截距導出單元導出的截距b以及由所述斜率導出單元導出的斜率a后的所述(1)式代入所述單位個數X,來計算所述處理時間Y,由此輔助所述處理。
10.根據權利要求1所述的處理輔助裝置,其特征在于,
由第一二維坐標信息表示的坐標點采用由對所述設備指示執行所述處理的指示者所指示的所述單位個數X以及所述處理時間Y所示的二維坐標點。
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