[發(fā)明專利]一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210078082.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN102617047A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚聯(lián)根;陳海平;楊德兵;屠松柏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)海（國際）玻璃技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C03C17/36
• 分類號(hào): C03C17/36;B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00
• 代理公司: 湖州金衛(wèi)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232
• 代理人: 趙衛(wèi)康

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種玻璃及其制作方法，更具體的說涉及一種利用白玻制作的低輻射鍍膜玻璃及制作方法。

背景技術(shù)

低輻射鍍膜玻璃具有低傳熱性能和較低的遮陽系數(shù)，專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N201110060204.0、申請(qǐng)日為2011年03月13日的中國發(fā)明專利公開了一種可鋼化的低輻射鍍膜玻璃及其制備方法，在玻璃基片的表面從下至上依次設(shè)置電介質(zhì)層I、電介質(zhì)層II、金屬阻擋層I、銀層、金屬阻擋層II、電介質(zhì)層III和電介質(zhì)層IV；電介質(zhì)層I與玻璃基片的表面相連，電介質(zhì)層I和電介質(zhì)層IV為氧化硅層,電介質(zhì)層II和電介質(zhì)層III為氧化鋅的錫酸鹽層,金屬阻擋層I和金屬阻擋層II為鎳鉻合金層。但是，其遮陽系數(shù)在0.6左右，遮陽效果差。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，提供一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法，其以白玻為基片，制作出來的鍍膜玻璃具有低傳熱系數(shù)和低遮陽系數(shù)。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，所述玻璃基片上依次設(shè)有氮化硅層、氧化鋅鋁層、金屬鈦層、金屬銀層、氧化鎳鉻層、氧化鈦層及氮化硅保護(hù)層。

作為優(yōu)選，所述玻璃基片的厚度為6-10mm，所述氮化硅層的厚度37-43nm，所述氧化鋅鋁層的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層的厚度為7-10nm，所述金屬銀層的厚度為11.5-12.5nm、所述氧化鎳鉻層的厚度為11-14nm，所述氧化鈦層的厚度為13-17nm，所述氮化硅保護(hù)層的厚度為61-69nm。

作為優(yōu)選，所述玻璃基片的厚度為6mm。

作為優(yōu)選，所述氮化硅層的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層的厚度為19nm，所述金屬鈦層的厚度為8nm，所述金屬銀層的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層的厚度為13nm，所述氧化鈦層的厚度為15nm，所述氮化硅保護(hù)層的厚度為64nm。

一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，包括以下步驟：?

a）：將6-10mm厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10^-3Pa，線速度設(shè)置為1.7-2.1m/min；

b）：將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層；

c）：設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層；

d）：設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.5-4.0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-10nm金屬鈦層；

e）：設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層11.5-12.5nm的金屬銀層；

f）：設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.6-6.2KW，在玻璃基片上濺射第五層11-14nm的氧化鎳鉻層；

g）：設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層；

h）：設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化硅保護(hù)層。

作為優(yōu)選，所述步驟a）中，所述玻璃基片的厚度為6mm；

所述步驟b）中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化硅層；

所述步驟c）中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為17.5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層；

所述步驟d）中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層；

所述步驟e）中，將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層；

所述步驟f）中，設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層；

所述步驟g）中，設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層；

所述步驟h）中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護(hù)層。

作為優(yōu)選，所述步驟a）中，線速度設(shè)置為2.0-2.1m/min。?

作為優(yōu)選，所述步驟a）中，線速度設(shè)置為2.1m/min。