[發(fā)明專利]一種雙功能低輻射鍍膜玻璃及其制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210078082.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-03-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102617047A | 公開（公告）日： | 2012-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姚聯(lián)根;陳海平;楊德兵;屠松柏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 聯(lián)海（國(guó)際）玻璃技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C03C17/36 | 分類號(hào)： | C03C17/36;B32B9/04;B32B15/00;B32B17/00 |
| 代理公司： | 湖州金衛(wèi)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33232 | 代理人： | 趙衛(wèi)康 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功能 輻射 鍍膜 玻璃 及其 制作方法 | ||
1.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片（1），其特征在于：所述玻璃基片（1）上依次設(shè)有氮化硅層（2）、氧化鋅鋁層（3）、金屬鈦層（4）、金屬銀層（5）、氧化鎳鉻層（6）、氧化鈦層（7）及氮化硅保護(hù)層（8）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片（1）的厚度為6-10mm，所述氮化硅層（2）的厚度37-43nm，所述氧化鋅鋁層（3）的厚度為17-24nm，所述金屬鈦層（4）的厚度為7-10nm，所述金屬銀層（5）的厚度為11.5-12.5nm，所述氧化鎳鉻層（6）的厚度為11-14nm，所述氧化鈦層（7）的厚度為13-17nm，所述氮化硅保護(hù)層（8）的厚度為61-69nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述玻璃基片（1）的厚度為6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃，其特征在于：所述氮化硅層（2）的厚度39nm，所述氧化鋅鋁層（3）的厚度為19nm，所述金屬鈦層（4）的厚度為8nm，所述金屬銀層（5）的厚度為12nm，所述氧化鎳鉻層（6）的厚度為13nm，所述氧化鈦層（7）的厚度為15nm，所述氮化硅保護(hù)層（8）的厚度為64nm。
5.一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于包括以下步驟：?
a）：將6-10mm厚度的玻璃基片按照預(yù)定的尺寸切割成塊并清洗干凈，然后將離線高真空磁控濺射設(shè)備的真空度設(shè)置在10-3Pa，線速度設(shè)置為1.7-2.1m/min；
b）：將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為54-56KW，在玻璃基片上濺射第一層37-43nm的氮化硅層（2）；
c）：設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為16-20KW，在玻璃基片上濺射第二層17-24nm的氧化鋅鋁層（3）；
d）：設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.5-4.0KW，在玻璃基片上濺射第三層7-10nm金屬鈦層（4）；
e）：設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為10-12.5KW，在玻璃基片上濺射第四層11.5-12.5nm的金屬銀層（5）；
f）：設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.6-6.2KW，在玻璃基片上濺射第五層11-14nm的氧化鎳鉻層（6）；
g）：設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為70-74KW，在玻璃基片上濺射第六層13-17nm的金屬鈦層（7）；
h）：設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為80-84KW，在玻璃基片上濺射第七層61-69nm的氮化硅保護(hù)層（8）。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：
所述步驟a）中，所述玻璃基片的厚度為6mm；
所述步驟b）中，設(shè)置第一離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為55KW，在玻璃基片上濺射第一層39nm的氮化硅層（2）；
所述步驟c）中，設(shè)置第二離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為17.5KW，在玻璃基片上濺射第二層19nm的氧化鋅鋁層（3）；
所述步驟d）中，設(shè)置第三離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為3.8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm金屬鈦層（4）；
所述步驟e）中，將切割后的玻璃基片輸送進(jìn)鍍膜室中，設(shè)置第四離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為11KW，在玻璃基片上濺射第四層12nm的金屬銀層（5）；
所述步驟f）中，設(shè)置第五離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為5.8KW，在玻璃基片上濺射第五層13nm的氧化鎳鉻層（6）；
所述步驟g）中，設(shè)置第六離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為72KW，在玻璃基片上濺射第六層15nm的金屬鈦層（7）；
所述步驟h）中，設(shè)置第七離線高真空磁控濺射設(shè)備的功率為81W，在玻璃基片上濺射第七層64nm的氮化硅保護(hù)層（8）。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟a）中，線速度設(shè)置為2.0-2.1m/min。?
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種雙功能低輻射鍍膜玻璃的制作方法，其特征在于：所述步驟a）中，線速度設(shè)置為2.1m/min。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于聯(lián)海（國(guó)際）玻璃技術(shù)有限公司，未經(jīng)聯(lián)海（國(guó)際）玻璃技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210078082.2/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
