[發明專利]通過可移除側墻集成工藝增強應力記憶效應的方法

有效

• 申請號: 201210077720.9
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN102637603A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發明（設計）人: 鄭春生
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種通過可移除側墻集成工藝增強應力記憶效應的方法，其特征在于，包括以下順序步驟：

首先，在具有淺溝槽、柵極結構和輕摻雜漏/源區的硅襯底表面及柵極表面、側壁上淀積一無定形碳層，刻蝕除去多余的無定形碳層形成柵極側墻；

其次，在硅襯底表面、柵極及柵極側墻表面淀積一氮化硅薄膜層，并對氮化硅薄膜層下的整個硅襯底進行漏/源粒子的注入；

接著，除去氮化硅薄膜層和側墻，在硅襯底表面及柵極表面、側壁上淀積一應力氮化硅層，對整個器件進行退火處理；

最后，除去應力氮化硅層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法或濕法除去氮化硅薄膜層。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，采用灰化工藝除去側墻。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火處理采用快速熱退火或激光脈沖退火。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蝕采用干法刻蝕或濕法刻蝕處理。