[發明專利]蓋體開閉裝置有效
| 申請號: | 201210077097.7 | 申請日: | 2012-03-21 |
| 公開(公告)號: | CN102693926A | 公開(公告)日: | 2012-09-26 |
| 發明(設計)人: | 菅原佑道 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開閉 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種用于開閉對構成FOUP的一部分的基板的取出口進行堵塞的蓋體的蓋體開閉裝置。
背景技術
作為半導體制造裝置之一,例如有一種對多個半導體晶圓(以下稱為晶圓)批量進行熱處理的立式熱處理裝置。該立式熱處理裝置設置在大氣氣氛中,包括:載體輸送區域,其用于輸送用于存儲晶圓的被稱為FOUP的載體;晶圓輸送區域,其用于將所述晶圓移載到作為基板保持器具的晶圓舟皿并向熱處理爐進行輸送;隔壁,其設置在上述載體輸送區域與晶圓輸送區域之間。為了防止晶圓在處理過程中附著顆粒,使晶圓輸送區域比載體輸送區域保持高清潔度。
在所述隔壁上形成有晶圓的輸送口,利用符合FIMS(Front-opening?Interface?Mechanical?Standard)規格的開閉門對該輸送口進行開閉。所述開閉門具有用于對設置在載體前表面的蓋體進行拆卸的拆卸機構。即,要求開閉門具有為了在載體內與晶圓輸送區域之間交接晶圓而對蓋體進行開閉的作用與將晶圓輸送區域與載體輸送區域隔離開的作用。
但是,半導體器件的高性能化及小型化逐漸發展,因此,用于該器件的配線寬、設計規則(design?rule)等更加狹小,并且還需要留意以往不成為問題的顆粒大小、數量。即,要求使晶圓輸送區域保持更高清潔度。另一方面,從抑制半導體器件的制造成本的觀點來看,使裝置的設置環境、即所述載體輸送區域保持低清潔度是有效的。但是,載體輸送區域的清潔度低時,載體上就容易附著顆粒。而且,由于所述輸送口的開閉門是在保持著載體的蓋體的狀態下向晶圓輸送區域側打開,因此有可能附著于該蓋體的顆粒被帶入晶圓輸送區域而導致晶圓輸送區域的清潔度降低。
在專利文獻1中,示出了一種在所述隔壁上設有用于對載體的蓋體噴出氣體的噴嘴來去除附著在蓋體上的顆粒的裝置。但是,從上述那樣的情況來看,要求有一種能更可靠地去除附著在載體的蓋體上的顆粒的裝置。
發明內容
本發明是鑒于上述情況完成的,其目的是提供一種能夠防止FOUP的輸送區域的顆粒借助該FOUP的蓋體混入基板輸送區域的技術。
本發明的蓋體開閉裝置的特征在于,其是FOUP的開閉裝置,該蓋體開閉裝置通過使FOUP的基板取出口的口緣部緊貼于利用開閉門進行開閉的輸送口的口緣部,并使設置在所述開閉門的與所述FOUP相對的相對面部上的蓋體拆卸機構經由FOUP的蓋體的前表面側的開口部進入蓋體內,來解除蓋體與FOUP主體的卡合并保持該蓋體,所述輸送口形成在用于劃分FOUP的輸送區域的氣氛與基板輸送區域的氣氛的隔壁上,該蓋體開閉裝置包括:載置臺,其用于以所述蓋體的前表面朝向所述輸送口的方式載置FOUP;氣體噴出口,其設置在所述相對面部上,供給用于去除附著在所述蓋體上的顆粒的吹掃氣體;進退機構,其使載置在所述載置臺上的FOUP相對于所述相對面部進退;控制部,其輸出控制信號,使得在該FOUP利用所述進退機構相對于所述相對面部前進到從所述氣體噴出口到所述FOUP的蓋體的距離是5mm以下的第1位置上時,從該氣體噴出口向所述蓋體供給吹掃氣體。
上述蓋體開閉裝置例如具體構成為如下所述。
(a)所述控制部輸出控制信號,使得在使FOUP以第1速度前進到所述第1位置之后持續供給吹掃氣體的狀態下,使該FOUP在所述第1位置停止或利用所述進退機構使該FOUP相對于相對面部以比第1速度慢的第2速度向比所述第1位置靠近所述相對面部的第2位置前進。
(b)所述進退機構是使所述載置臺相對于所述隔壁的輸送口進行進退的機構。
(c)在所述相對面部上設有從該氣體噴出口向該氣體噴出口的外方延伸的回旋槽。
(d)具有用于使從所述氣體噴出口噴出的吹掃氣體離子化的第1電離器。
(e)具有過濾器單元與第2電離器,所述過濾器單元設在所述載置臺的上方,并具有過濾器,該過濾器單元將通過所述過濾器被凈化后的大氣朝向下方供給并形成下降氣流;所述第2電離器用于使從所述過濾器單元供給的大氣離子化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





