[發明專利]半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201210076842.6
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102738069A
• 公開（公告）日: 2012-10-17
• 發明（設計）人: 中尾賢;原田宗生;飯田到;山口永司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

準備多個半導體基板，該半導體基板形成有用于貫通主表面間的貫通孔，并且在該貫通孔內填充有多孔質導體；

以使被填充在上述貫通孔內的多孔質導體的位置對準的方式將上述多個半導體基板層疊起來；

將含有顆粒狀導體的導體墨導入到層疊起來的上述多個半導體基板的上述多孔質導體中；

對層疊起來的上述多個半導體基板進行燒制。

2.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在半導體基板上形成多個芯片區域，該芯片區域具有貫通孔，該貫通孔用于貫通該半導體基板的主表面間；

在上述貫通孔中填充多孔質導體；

以上述芯片區域為單位從上述半導體基板切出多個芯片；

將切出的上述多個芯片以使上述多孔質導體的位置對準的方式層疊起來；

將含有顆粒狀導體的導體墨導入到層疊起來的上述多個芯片的上述多孔質導體中；

對層疊起來的上述多個芯片進行燒制。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

上述多孔質導體是將顆粒狀的銀的溶液導入到上述貫通孔中之后進行預燒制而形成的；

上述顆粒狀的銀的溶液是含有顆粒狀的銀的溶液。