[發明專利]第III族氮化物半導體發光器件

有效

• 申請號: 201210076740.4
• 申請日: 2012-03-21
• 公開（公告）號: CN102694112A
• 公開（公告）日: 2012-09-26
• 發明（設計）人: 戶谷真悟;出口將士;中條直樹
• 申請（專利權）人: 豐田合成株式會社
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;王春偉

技術領域

本發明涉及正裝型(face-up-type)第III族氮化物半導體發光器件，所述器件的光提取性能通過在絕緣膜中提供反射膜而得以改善。

背景技術

專利文件1和2公開了倒裝芯片型第III族氮化物半導體發光器件，其中反射膜提供在絕緣膜中。在這樣的發光器件中，通過用絕緣膜包封膜，來防止形成反射膜的金屬遷移穿過電絕緣膜。

專利文件1：日本專利申請特許公開No.H11-340514

專利文件2：日本專利申請特許公開No.2005-302747

具有專利文件1或2中所公開的結構的第III族氮化物半導體發光器件為倒裝芯片型。可以想象，將這樣的結構應用到正裝型器件可改善器件的光提取性能。具體地，光提取性能可通過提供如下結構而得以改進：在該結構中用絕緣膜包封的反射膜形成在n-電極和p-電極之下(即藍寶石襯底側上)，以使朝向n-電極和p-電極發射的光被反射膜反射，以由此抑制光被n-電極和p-電極吸收。

本發明人已對具有前述結構的正裝型第III族氮化物半導體發光器件進行了研究。然而，本發明人已發現，該發光器件表現出未充分改善的光提取性能，原因是被反射膜反射的光被發光層吸收，或者被用于密封器件的樹脂反射的光被n-電極或p-電極的布線部吸收。

發明內容

鑒于以上，本發明的一個目的是提供一種正裝型第III族氮化物半導體發光器件，該器件的光提取性能通過在n-電極和p-電極之下提供用絕緣膜包封的反射膜而得以改善。

在本發明的第一方面中，提供一種正裝型第III族氮化物半導體發光器件，其包括生長襯底；n-型層；發光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，

所述n-型層、所述發光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：

所述發光器件具有在所述n-電極和所述p-電極每個直接下方的區域中引入所述第一絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發射波長的光表現出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；

具有從所述p-型層的頂表面延伸到所述n-型層的深度的溝槽形成在所述n-電極的所述布線部直接下方的區域和所述p-電極的所述布線部直接下方區域中的至少一個中；并且

在所述溝槽形成于其中的所述區域直接下方區域中的所述反射膜位于比所述發光層的位置更低的位置處。

在本發明的第二方面中，提供一種正裝型第III族氮化物半導體發光器件，包括生長襯底；n-型層；發光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，

所述n-型層、所述發光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分都覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：

所述發光器件具有在所述n-電極和所述p-電極的所述布線部中的每一個直接上方區域中引入所述第二絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發射波長的光表現出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；

具有從所述p-型層的頂表面延伸到所述n-型層的深度的溝槽形成在所述n-電極的所述布線部直接下方的區域和所述p-電極的所述布線部直接下方的區域中的至少一個中；并且

在所述溝槽形成于其中的所述區域直接上方區域中的所述反射膜位于比所述發光層的位置更低的位置處。

在本發明的第三方面中，提供一種正裝型第III族氮化物半導體發光器件，包括生長襯底；n-型層；發光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，

所述n-型層、所述發光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分都覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：

所述發光器件具有在所述n-電極和所述p-電極每個直接下方的區域中引入所述第一絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發射波長的光表現出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；