[發(fā)明專利]第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210076740.4 | 申請日： | 2012-03-21 |
| 公開（公告）號： | CN102694112A | 公開（公告）日： | 2012-09-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 戶谷真悟;出口將士;中條直樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號： | H01L33/60 | 分類號： | H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;王春偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | iii 氮化物 半導(dǎo)體 發(fā)光 器件 | ||
1.一種正裝型第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括生長襯底；n-型層；發(fā)光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，
所述n-型層、所述發(fā)光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分均覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：
所述發(fā)光器件具有在所述n-電極和所述p-電極的每一個的直接下方的區(qū)域中引入所述第一絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發(fā)射波長的光表現(xiàn)出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；
具有從所述p-型層的頂表面延伸到所述n-型層的深度的溝槽形成在所述n-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域和所述p-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域中的至少一個中；并且
在所述溝槽形成于其中的所述區(qū)域直接下方區(qū)域中的所述反射膜位于比所述發(fā)光層更低的位置處。
2.一種正裝型第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括生長襯底；n-型層；發(fā)光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，
所述n-型層、所述發(fā)光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分均覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：
所述發(fā)光器件具有在所述n-電極和所述p-電極的所述布線部中的每一個的直接上方的區(qū)域中引入所述第二絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發(fā)射波長的光表現(xiàn)出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；
具有從所述p-型層的頂表面延伸到所述n-型層的深度的溝槽形成在所述n-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域和所述p-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域中的至少一個中；并且
在所述溝槽形成于其中的所述區(qū)域直接上方的區(qū)域中的所述反射膜位于比所述發(fā)光層更低的位置處。
3.一種正裝型第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其包括生長襯底；n-型層；發(fā)光層；p-型層；具有接合部和布線部的n-電極；具有接合部和布線部的p電極；第一絕緣膜；和第二絕緣膜，
所述n-型層、所述發(fā)光層和所述p-型層順序堆疊在所述生長襯底上，所述n-電極和所述p-電極形成在所述第一絕緣膜上，并且所述n-電極和所述p-電極的每一個的除所述接合部以外的部分均覆蓋有所述第二絕緣膜，其中：
所述發(fā)光器件具有在所述n-電極和所述p-電極的每一個的直接下方的區(qū)域中引入所述第一絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發(fā)射波長的光表現(xiàn)出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；
所述發(fā)光器件具有在所述n-電極和所述p-電極的所述布線部的每一個的直接上方的區(qū)域中引入所述第二絕緣膜中的反射膜，所述反射膜由對發(fā)射波長的光表現(xiàn)出比所述布線部的反射率高的反射率的材料形成；
具有從所述p-型層的頂表面延伸到所述n-型層的深度的溝槽形成在所述n-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域和所述p-電極的所述布線部直接下方的區(qū)域的至少一個中；并且
在所述溝槽形成于其中的所述區(qū)域的直接上方的區(qū)域和直接下方的區(qū)域中的所述反射膜位于比所述發(fā)光層更低的位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中位于所述布線部的直接下方的所述反射膜直接設(shè)置在所述n-型層的通過所述溝槽底部暴露的部分上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中位于所述布線部的直接下方的所述反射膜直接設(shè)置在所述n-型層的通過所述溝槽底部暴露的部分上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的第III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中所述反射膜由Ag、Al、Ag合金、Al合金或介電多層膜形成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于豐田合成株式會社，未經(jīng)豐田合成株式會社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210076740.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
