[發(fā)明專利]一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210076494.2
• 申請(qǐng)日: 2012-03-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102593373A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高昕偉;何其林;李園利
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52
• 代理公司: 成都虹橋?qū)＠聞?wù)所 51124
• 代理人: 李順德

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及OLED發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

頂發(fā)射AMOLED(被動(dòng)式有機(jī)電致發(fā)光二極管)可有效解決由于復(fù)雜TFT(薄膜場(chǎng)效應(yīng)管)補(bǔ)償電路所帶來(lái)的開(kāi)口率降低及顯示屏亮度降低問(wèn)題，同時(shí)通過(guò)利用頂發(fā)射AMOLED器件結(jié)構(gòu)中存在的微腔效應(yīng)，還可以對(duì)AMOLED顯示屏的顯示色域進(jìn)行改善，提高顯示效果。

作為頂發(fā)射AMOLED光線必須透射部分，透明陰極對(duì)頂發(fā)射AMOLED器件性能有著至關(guān)重要的影響，透光度和導(dǎo)電度是透明陰極必須考慮的重要因素，常用的陰極材料如Al、Mg-Ag(鎂銀合金)、Ag、Ca等只有在非常薄(一般在20nm以下)的厚度下才具有很好的光線穿透特性，但是當(dāng)陰極層很薄時(shí)，常常會(huì)有斷路或者金屬容易氧化的問(wèn)題，不能形成有效的歐姆接觸，在界面上易形成缺陷導(dǎo)致電荷注入過(guò)程損耗增加，同時(shí)，隨著金屬陰極層厚度變薄，陰極的方阻會(huì)增加，會(huì)導(dǎo)致AMOLED顯示屏出現(xiàn)亮度不均勻問(wèn)題。因此，頂發(fā)射AMOLED的透明陰極要同時(shí)考慮透光度和導(dǎo)電度問(wèn)題。

傳統(tǒng)技術(shù)中的透明陰極結(jié)構(gòu)一般為單層結(jié)構(gòu)，常采用Mg-Ag材料作透明陰極層；采用這種透明陰極結(jié)構(gòu)制備成的OLED器件結(jié)構(gòu)如圖1所示，其包括玻璃基板1、像素限定層2、反射/透明陽(yáng)極3、空穴注入和空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸/注入層6、透明陰極層7；此種OLED器件的透光度好，但是導(dǎo)電度低，因此亮度低；

在傳統(tǒng)技術(shù)中，也有部分透明陰極結(jié)構(gòu)采用雙層結(jié)構(gòu)，其采用Al材料作透明陰極層，采用Ag材料作輔助透明陰極層，輔助透明陰極層位于透明陰極上方并與透明陰極層與一起形成復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)；采用這種復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)制備成的OLED器件結(jié)構(gòu)如圖2所示，其包括玻璃基板1、像素限定層2、反射/透明陽(yáng)極3、空穴注入和空穴傳輸層4、發(fā)光層5、電子傳輸/注入層6、透明陰極層7、輔助透明陰極層8；此種OLED器件的導(dǎo)電度高，然而透光度不好，因此亮度也無(wú)法滿足要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：提出一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)，解決傳統(tǒng)技術(shù)中的透明陰極結(jié)構(gòu)或者復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電度或透光度不好，而造成亮度無(wú)法滿足要求的問(wèn)題；此外，本發(fā)明還提出該OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法。

本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題所采用的方案是：一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)，包括：

透明陰極層及輔助透明陰極層，輔助透明陰極層位于透明陰極層上方；所述透明陰極層采用Mg-Ag合金材料制成，所述輔助透明陰極層采用Ag材料制成。

進(jìn)一步，所述透明陰極層的膜厚范圍為1～30nm；輔助透明陰極層的膜厚范圍為1～50nm，但透明陰極層和輔助透明陰極層的總厚度不超過(guò)51nm。

進(jìn)一步，所述透明陰極層的膜厚為10nm，所述輔助透明陰極層的膜厚為10nm。

進(jìn)一步，所述Mg-Ag合金材料中，Mg的質(zhì)量百分比范圍為30％～0.1％，Ag的質(zhì)量百分比范圍為70％～99.9％。

一種OLED復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

a.在真空條件下，利用熱蒸鍍或者電子束蒸鍍技術(shù)，蒸鍍一定厚度的Mg-Ag合金材料作為透明陰極層；

b.在真空條件下，在透明陰極層的上方，利用熱蒸鍍或者電子束蒸鍍技術(shù)，蒸鍍一定厚度的Ag材料作為輔助透明陰極層。

進(jìn)一步，步驟a中，蒸鍍10nm的Mg-Ag合金材料作為透明陰極層。

進(jìn)一步，步驟b中，蒸鍍10nm的Ag材料作為輔助透明陰極層。

進(jìn)一步，所述Mg-Ag合金材料中，Mg的質(zhì)量百分比范圍為30％～0.1％，Ag的質(zhì)量百分比范圍為70％～99.9％。

本發(fā)明的有益效果是：采用Mg-Ag合金材料作為透明陰極層，采用Ag材料作為輔助透明陰極層，形成雙層結(jié)構(gòu)的復(fù)合透明陰極結(jié)構(gòu)，具備較好的透光度和導(dǎo)電度，滿足亮度需求。

附圖說(shuō)明

圖1為采用單層結(jié)構(gòu)的透明陰極制備的OLED器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為采用雙層結(jié)構(gòu)的復(fù)合透明陰極制備的OLED器件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為不同膜厚的Ag的透光度曲線圖；

圖4為不同膜厚的Mg:Ag合金的透光度曲線圖；

圖中，1為玻璃基板、2為像素限定層、3為反射/透明陽(yáng)極、4為空穴注入和空穴傳輸層、5為發(fā)光層、6為電子傳輸/注入層、7為透明陰極層、8為輔助透明陰極層。

具體實(shí)施方式